[发明专利]有机发光器件和方法

权利要求书

1.一种有机发光器件，该器件包含：由金属、金属合金、导电性金属氧化物或其混合物形成的阳极；与所述阳极接触的空穴注入层；在所述空穴注入层上方的发光层；以及在所述发光层上方的阴极，其中所述空穴注入层包含掺杂有部分氟化的富勒烯的有机半导体材料。

2.根据权利要求1所述的有机发光器件，其中所述阳极选自氧化铟锡、氧化铟锌、氟掺杂的氧化锡、三氧化钨、二氧化钛、三氧化钼、铝锌氧化物、镓铟锌氧化物、铝、银、钯、铜、金、铂、及其合金，例如银-钯-铜和钼-铬。

3.根据权利要求1或2所述的有机发光器件，其中所述部分氟化的富勒烯是部分氟化的巴克敏斯特富勒烯，任选为C₆₀。

4.根据任一前述权利要求所述的有机发光器件，其中掺杂剂的存在范围是约0.1-20重量％，任选地0.1-5重量％。

5.根据任一前述权利要求所述的有机发光器件，其中所述有机半导体是聚合物。

6.根据权利要求5所述的有机发光器件，其中所述有机半导体包含下式（I）的重复单元：

其中Ar¹和Ar²在每次出现时独立地选自任选取代的芳基或杂芳基基团；n大于或等于1，优选为1或2；R是H或取代基；任何Ar¹、Ar²和R可以通过直接键或通过连接基团连接；并且x和y各自独立地为1、2或3。

7.根据权利要求6所述的有机发光器件，其中R是取代基。

8.根据权利要求6或7所述的有机发光器件，其中所述有机半导体是共聚物，其包含小于50摩尔%的式（I）的重复单元。

9.根据权利要求5、6、7或8所述的有机发光器件，其中所述聚合物包含任选取代的亚芳基重复单元。

10.根据权利要求9所述的有机发光器件，其中所述任选取代的亚芳基重复单元是任选取代的芴重复单元或任选取代的亚苯基重复单元。

11.根据任一前述权利要求所述的有机发光器件，其中基本上未掺杂的空穴传输层被设置在所述掺杂的空穴注入层和发光层之间，所述基本上未掺杂的空穴传输层任选地是交联层。

12.根据任一前述权利要求所述的有机发光器件，其中所述空穴注入层是交联的。

13.根据任一前述权利要求所述的有机发光器件，其中所述器件包含：发光层，所述发光层限定出器件的多个像素，每个像素都具有像素区域；以及堤岸，所述堤岸在对应于所述多个像素的位置处具有开口。

14.根据权利要求13所述的有机发光器件，其中所述空穴注入层和发光层被至少设置在所述开口中和器件的像素区域中。

15.根据权利要求13或14所述的有机发光器件，其中所述空穴注入层还被设置在所述堤岸上。

16.根据权利要求13-15中任一项所述的有机发光器件，其中所述空穴注入层延伸跨过器件的多个像素。

17.根据权利要求16所述的有机发光器件，其中所述多个像素形成像素行，并且其中所述器件包含多个像素行。

18.根据权利要求13-15中任一项所述的有机发光器件，其中所述空穴注入层被设置成为每个像素进行划分的形式。

19.根据权利要求13-18中任一项所述的有机发光器件，其中所述器件包括堤岸，所述堤岸限定出多个凹坑，每个凹坑限定出像素的周界。

20.根据权利要求13-18中任一项所述的有机发光器件，其中所述器件包含堤岸，所述堤岸限定出多个沟道，每个沟道延伸跨过多个像素。

21.根据权利要求13-20中任一项所述的有机发光器件，其中所述的堤岸的层数是1。

22.根据权利要求13-20中任一项所述的有机发光器件，其中：所述多个像素被线性排列成多个平行的行；所述堤岸由第一堤岸层和在所述第一堤岸层上的第二堤岸层构成；所述第一堤岸层限定出所述多个像素的周界，而所述第二堤岸层将所述多个像素划分成多个平行的行。