[发明专利]半导体装置及布线基板无效
| 申请号： | 201280023196.5 | 申请日： | 2012-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN103534801A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 杉村贵弘;筑野孝 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/12 | 分类号： | H01L23/12;H01L23/36;H05K1/09 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李亚;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 布线 | ||
1.一种半导体装置，包括：
绝缘性基板；
布线层，形成于所述绝缘性基板的第一主面上；以及
半导体元件，搭载于所述布线层上；
所述布线层由包含铜及热膨胀系数小于铜的金属的第一含铜材料构成，
所述第一含铜材料的热膨胀系数小于铜的热膨胀系数。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第一含铜材料为具有叠层结构的复合材料、或者为包含铜及所述金属的合金，该叠层结构层叠有由铜构成的第一层及由所述金属构成的第二层。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述复合材料构成为所述第一层、所述第二层及所述第一层依次层叠。
4.如权利要求1至3的任一项所述的半导体装置，其中，
所述金属为钼或钨。
5.如权利要求1至4的任一项所述的半导体装置，包括：
散热层，形成于所述绝缘性基板的与所述第一主面相反一侧的第二主面上；以及
散热片，经由所述散热层与所述绝缘性基板接合，
所述散热层由含有铜的第二含铜材料构成，
所述第二含铜材料的热膨胀系数大于所述绝缘性基板的热膨胀系数且为所述散热片的热膨胀系数以下。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，
所述第二含铜材料的组成与所述第一含铜材料的组成相同。
7.如权利要求1至6的任一项所述的半导体装置，其中，
构成所述半导体元件的半导体为宽带隙半导体。
8.一种布线基板，搭载有半导体元件，所述布线基板包括：
绝缘性基板；以及
布线层，形成于所述绝缘性基板的主面上，搭载有所述半导体元件，
所述布线层由含有铜及热膨胀系数小于铜的金属的含铜材料构成，
所述含铜材料的热膨胀系数小于铜的热膨胀系数。
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