[发明专利]具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，

包括下列步骤：

步骤a，在基板上形成包含硒化物(selenide)系列化合物的Cu-In-Ga-Se前驱体薄膜，该硒化物系列化合物具备共价结构；及

步骤b，把上述步骤a所形成的前驱体薄膜予以硒化(selenization)热处理。

2.根据权利要求1所述的具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，

上述前驱体薄膜的形成方法是基于溅射法的沉积。

3.根据权利要求2所述的具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，

上述溅射法按照下列方式组合后进行，即至少包括一个含硒的靶。

4.根据权利要求3所述的具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，

上述靶组合是下列靶组合中的某一个：Cu-Se、In-Se、Ga-Se靶组合，Cu-Se、In-Se、Cu-Ga靶组合，Cu、In-Se、Ga-Se靶组合，Cu-Se、In、Cu-Ga靶组合及Cu-In-Se、Cu-Ga靶组合。

5.根据权利要求3所述的具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，

上述溅射法同时溅射(co-sputtering)各组合的靶或者有时间差地依次进行。

6.根据权利要求1所述的具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，

上述硒化热处理在Se蒸气或H2Se气体的Se氛围下实现。

7.根据权利要求6所述的具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，

上述硒化热处理在上述基板温度为400到530℃的状态下进行。

8.根据权利要求6所述的具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，

上述硒化热处理进行10分钟到60分钟。

9.根据权利要求1所述的具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，

上述前驱体薄膜的Se的原子比(Se/(Cu+In+Ga))为0.3～1.0。

10.根据权利要求1所述的具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，

上述前驱体薄膜的Se的原子比(Se/(Cu+In+Ga))为0.8～1.0。

11.根据权利要求3所述的具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，

上述靶使用CuSe、In、CuGa靶。

12.根据权利要求3所述的具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜的制造方法，其特征在于，

上述靶使用CuSe、In₂Se₃、CuGa靶。

13.一种具有均匀的Ga分布的CIGS薄膜，其特征在于，

由权利要求1到权利要求12中任一项所述的方法制造。