[发明专利]用于控制在处理腔室中的多区域加热器的温度的方法及装置在审
申请号: | 201280023374.4 | 申请日: | 2012-05-17 |
公开(公告)号: | CN103563065A | 公开(公告)日: | 2014-02-05 |
发明(设计)人: | 哈里·基肖尔·安巴拉;尤纬·保罗·哈勒;周建华 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 控制 处理 中的 区域 加热器 温度 方法 装置 | ||
1.一种装置,所述装置包括:
多区域加热器,所述多区域加热器配置于基板支撑件中;
电源,所述电源提供第一功率馈送至所述多区域加热器的第一区域,且所述电源提供第二功率馈送至所述多区域加热器的第二区域;
电阻测量器件,所述电阻测量器件耦合至所述第一功率馈送以测量所述第一区域获取的电流与电压,所述测量彼此间隔至多约110毫秒内;及
控制器,所述控制器耦合至所述电源和所述电阻测量器件以响应从所述电阻测量器件接收的数据来控制所述电源。
2.如权利要求1所述的装置,其中所述电源为约190V至约240V的交流电源。
3.如权利要求1所述的装置,其中所述多区域加热器包括内区域与外区域,所述内区域与所述外区域分别对应于基板的中心部与外围部,所述基板由基板支撑件支撑,且其中所述外区域为所述多区域加热器的所述第一区域,且所述内区域为所述多区域加热器的所述第二区域。
4.如权利要求1至3中的任一项所述的装置,其中所述电阻测量器件包括霍尔效应电流传感器,所述霍尔效应电流传感器具有约200千赫兹或更高的采样速率。
5.如权利要求1至3中的任一项所述的装置,其中所述电源为交流电源,且其中所述电阻测量器件能对所述电源的每周期获得多组被所述第一区域获取的电压与电流的测量值。
6.如权利要求1至3中的任一项所述的装置,其中所述电源为交流电源,其中所述电阻测量器件能对所述电源的每周期获得至少256组被所述第一区域获取的电压与电流的测量值。
7.如权利要求1至3中的任一项所述的装置,其中所述控制器能检测所述第一区域中电阻的16毫欧姆(milliohm)的变化。
8.一种控制多区域加热器的方法,所述多区域加热器被配置在基板支撑件内,所述多区域加热器具有第一区域与第二区域,所述方法包括:
在第一时间测量电流,所述电流被所述第一区域获取;
在所述第一时间测量电压,所述电压被所述第一区域获取;
基于在所述第一时间测量的被所述第一区域获取的电流与电压,计算所述第一区域的电阻;
基于所述第一区域的温度与所述电阻之间的预定关系,确定所述第一区域的温度;及
调整所述第一区域的温度以响应温度确定。
9.如权利要求8所述的方法,其中计算所述第一区域的电阻、确定所述第一区域的温度和调整所述第一区域的温度发生在第二时间,所述第二时间在间隔所述第一时间约100毫秒(ms)之内。
10.如权利要求8所述的方法,进一步包括:
测量所述第二区域的温度;及
调整所述第二区域的温度以响应所述测量。
11.如权利要求8至10中的任一项所述的方法,其中所述多区域加热器与交流电源相连接,且其中对所述电源的每周期获得多组被所述第一区域获取的电流与电压的测量值,其中每一组测量值包括同时获得的电压的测量值与电流的测量值。
12.如权利要求8至10中的任一项所述的方法,其中所述第一区域为外区域而所述第二区域为配置在所述外区域内的内区域,且其中在所述第二区域被加热前所述第一区域被加热到所期望的温度。
13.如权利要求8至10中的任一项所述的方法,其中所述第一区域为外区域而所述第二区域为配置在所述外区域内的内区域,且其中热电偶被耦合至所述第二区域以测量所述第二区域的温度。
14.如权利要求8至10中的任一项所述的方法,其中将所述第一区域的电阻与所述第一区域的温度相关联进一步包括:将所述第一区域的电阻与所述第一区域的温度相关联而达到约0.5℃之内的准确度。
15.如权利要求8至10中的任一项所述的方法,其中所述多区域加热器的所述第一区域的温度被调整成具有在约2.5℃之内的准确度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造