[发明专利]CMP垫调整器及用于制造CMP垫调整器的方法

权利要求书

1.一种CMP垫调整器，包括：

基板；以及

多个切割尖端，该多个切割尖端从所述基板的表面向上突出且相互隔开，

其中所述切割尖端具有一种构造，该构造为所述切割尖端的上表面是平行于所述基板的表面的平面，以及

在调整时，施加至各个所述切割尖端的平均压力的范围从0.001lbf/cm²/ea至0.2lbf/cm²/ea。

2.根据权利要求1所述的CMP垫调整器，其中所述切割尖端的上部形成为，使所述切割尖端的外表面相对于所述切割尖端的上表面成87～93°的角度，所述外表面是由所述切割尖端的所述上表面的外周缘连接至位于所述切割尖端的所述上表面下方5～50μm的位置的所述切割尖端剖面的外周缘所定义。

3.根据权利要求1所述的CMP垫调整器，其中所述切割尖端包括多个凸部及切割部，该切割部从所述凸部延伸并与所述凸部一体形成或与所述凸部分开形成，其中当所述凸部与所述切割部分开形成时，形成于所述凸部的上表面的切割部包括钻石层，该钻石层通过使用化学气相沉积而使钻石沉积至所述凸部的上表面上而形成。

4.根据权利要求1所述的CMP垫调整器，其中所述CMP垫调整器的使用寿命周期期间，使用所述CMP垫调整器之前的所述切割尖端的上表面面积与使用所述CMP垫调整器之后的所述切割尖端的上表面的面积之间的差异在10%以内。

5.根据权利要求4所述的CMP垫调整器，其中所述切割尖端的上表面面积为25～10000μm²。

6.根据权利要求1所述的CMP垫调整器，其中垫粗糙度在所述调整期间维持在2～10μm的范围内。

7.一种用于制造CMP垫调整器的方法，该CMP垫调整器为根据权利要求1至6中任意一项所述的CMP垫调整器，该方法包括：

将在调整期间施加至与垫接触的各个切割尖端的平均压力确定在从0.001lbf/cm²/ea至0.2lbf/cm²/ea的范围内；

依据所述确定的平均压力，确定多个所述切割尖端的尺寸与数目，所述切割尖端形成为从基板的表面向上方突出；以及

按照确定的所述切割尖端的尺寸与数目，在所述基板上形成所述切割尖端。

8.根据权利要求7所述的方法，其中将形成为从所述基板的表面向上突出的多个所述切割尖端的尺寸与数目由以下方程式1所决定。

[方程式1]

Pe=（D/As）÷T

Pe：施加至每个所述切割尖端的平均压力

D：负载

As：所有所述切割尖端的上表面面积的总和

T：切割尖端的数目

9.根据权利要求7所述的方法，其中在所述基板上形成所述切割尖端包括：

一体地或分开地形成所述基板与凸部，该凸部具有从圆柱形形状、多棱柱体形状、截头圆锥体形状及截头角锥形状中选择的任何一种形状；以及

通过使用化学气相沉积使钻石沉积在所述基板与所述凸部的表面上，从而形成包括钻石层的切割部。

10.根据权利要求7所述的方法，其中在形成所述切割尖端已经完成的状态下，所述切割尖端的上部形成为使所述切割尖端的外表面相对于所述切割尖端的上表面成87～93°的角度，所述外表面是由所述切割尖端的上表面的外周缘连接至位于所述切割尖端的上表面下方5～50μm的位置的所述切割尖端剖面的外周缘所定义。

11.根据权利要求7所述的方法，其中所述切割尖端的上表面面积为25～10000μm²。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述切割尖端形成为一种包括圆柱形形状或多棱柱体形状的柱状形状，而所述切割尖端的表面包括钻石薄膜涂层。

13.根据权利要求11所述的方法，其中当所述切割尖端的上表面面积为25～625μm²时，形成2680～190000个所述切割尖端，当所述切割尖端的上表面面积为625～2500μm²时，形成1340～38000个所述切割尖端，当所述切割尖端的上表面面积为2500～10000μm²时，形成670～19000个所述切割尖端。

14.根据权利要求11所述的方法，其中施加至所述切割尖端的临界压力范围依据所述切割尖端的上表面面积而进行调整，以能使施加至每一个所述切割尖端的压力在不需要改变垫磨损率的情况下进行调节，从而调整CMP垫调整器的使用寿命。