[发明专利]横向半导体器件

权利要求书

1.一种横向半导体器件，包括：

半导体层（16），所述半导体层（16）包括表面部分处的第二半导体区（23）和第一半导体区（28），所述第二半导体区（23）构成所述第一半导体区周围的电路；

绝缘层（37），所述绝缘层（37）形成在所述半导体层（16）的表面上并且布置在所述第一半导体区（28）和所述第二半导体区（23）之间；以及

电阻性场板（30），所述电阻性场板（30）形成在所述绝缘层（37）的表面上，所述电阻性场板（30）的一个端部与所述第一半导体区（28）电连接，所述电阻性场板（30）的另一端部与所述第二半导体区（23）电连接，其中

当在平面中观察时，在所述第一半导体区（28）和所述第二半导体区（23）之间，第一部分和第二部分沿着所述第一半导体区（28）周围的外周方向彼此相邻，

所述电阻性场板（30）包括第一电阻性场板部分（34）和第二电阻性场板部分（34），所述第一电阻性场板部分（34）形成在所述第一部分中并且沿着所述外周方向重复往返，所述第二电阻性场板部分（34）形成在所述第二部分中并且沿着所述外周方向重复往返，并且

形成在所述第一部分中的所述第一电阻性场板部分（34）与形成在所述第二部分中的所述第二电阻性场板部分（34）彼此分离。

2.根据权利要求1所述的横向半导体器件，其中

形成在所述第一部分中的所述第一电阻性场板部分（34）的往返次数与形成在所述第二部分中的所述第二电阻性场板部分（34）的往返次数不同。

3.根据权利要求2所述的横向半导体器件，其中

当在平面中观察时，所述第一半导体区（28）和所述第二半导体区之间的区域（23）包括拐角部分和线性部分，

所述第一部分被包括在所述拐角部分中，

所述第二部分被包括在所述线性部分中，并且

形成在所述第一部分中的所述第一电阻性场板部分（34）的往返次数大于形成在所述第二部分中的所述第二电阻性场板部分（34）的往返次数。

4.根据权利要求3所述的横向半导体器件，其中

沿着所述外周方向延伸的所述第一电阻性场板部分（34）的各部分的电阻值基本彼此相等。

5.根据权利要求1-4中的任一项所述的横向半导体器件，其中

所述第一电阻性场板部分（34）包括朝着所述第二部分突出的第一电阻性场板突出部分（34a），

所述第二电阻性场板部分（34）包括朝着所述第一部分突出的第二电阻性场板突出部分（34a），并且

当在平面中观察时，沿着连接所述第一半导体区（28）和所述第二半导体区（23）的方向重复形成所述第一电阻性场板突出部分（34a）和所述第二电阻性场板突出部分（34a）。

6.根据权利要求1-5中的任一项所述的横向半导体器件，其中

所述第一电阻性场板部分（34）的电阻值和所述第二电阻性场板部分（34）的电阻值基本彼此相等。