[发明专利]光学部件的制造方法以及光学部件

权利要求书

1.一种光学部件的制造方法，其特征在于：

包含：

第1蚀刻工序，对包含硅区域的板状构件的所述硅区域实施蚀刻并形成凹部；

热氧化工序，使所述凹部的内侧面热氧化并形成氧化硅膜；

氮化膜形成工序，形成覆盖所述氧化硅膜的氮化硅膜。

2.如权利要求1所述的光学部件的制造方法，其特征在于：

在所述热氧化工序与所述氮化膜形成工序之间，进一步包含除去所述氧化硅膜的不要部分的不要部分除去工序。

3.如权利要求2所述的光学部件的制造方法，其特征在于：

在所述第1蚀刻工序之前，进一步包含掩膜形成工序，其将具有沿着所述内侧面的一部分的图形的第1掩膜形成于所述硅区域上，并进一步依次将具有对应于所述凹部的平面形状的开口的第2以及第3掩膜形成于所述硅区域上以及所述第1掩膜上，

在所述第1蚀刻工序中，在用所述第3掩膜来相对于所述硅区域进行干式蚀刻之后，除去所述第3掩膜，

在所述热氧化工序中，在用所述第2掩膜来使所述凹部的所述内侧面热氧化之后，除去所述第2掩膜，

在所述热氧化工序之后且在所述不要部分除去工序之前，用所述第1掩膜来蚀刻所述硅区域。

4.如权利要求2所述的光学部件的制造方法，其特征在于：

在所述第1蚀刻工序之前，进一步包含掩膜形成工序，其将具有沿着所述内侧面一部分的图形的第1掩膜形成于所述硅区域上，并进一步依次将具有对应于所述凹部的平面形状的开口的第2掩膜形成于所述硅区域上以及所述第1掩膜上，

在所述第1蚀刻工序中，用所述第2掩膜来相对于所述硅区域进行湿式蚀刻，

在所述热氧化工序中，在用所述第2掩膜来使所述凹部的所述内侧面热氧化之后，除去所述第2掩膜，

在所述热氧化工序之后且在所述不要部分除去工序之前，用所述第1掩膜来蚀刻所述硅区域。

5.如权利要求1～4中任意一项所述的光学部件的制造方法，其特征在于：

在所述氮化膜形成工序中，使用低压化学气相沉积法来形成所述氮化硅膜。

6.如权利要求1～5中任意一项所述的光学部件的制造方法，其特征在于：

在所述第1蚀刻工序中，沿着所述板状构件的厚度方向形成所述凹部的所述内侧面。

7.如权利要求1～5中任意一项所述的光学部件的制造方法，其特征在于：

在所述第1蚀刻工序中，通过相对于所述硅区域进行湿式蚀刻，从而沿着相对于所述板状构件的厚度方向倾斜的方向形成所述凹部的所述内侧面。

8.一种光学部件，其特征在于：

具备：

包含于板状构件、并由蚀刻形成一个侧面的硅区域；

覆盖所述一个侧面的氧化硅膜；

覆盖所述氧化硅膜的氮化硅膜；

所述氧化硅膜通过对形成于所述硅区域的凹部的内侧面热氧化而形成。