[发明专利]金属硅的生产和应用无效
| 申请号： | 201280023994.8 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103702937A | 公开（公告）日： | 2014-04-02 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·马西森 | 申请（专利权）人： | 波士顿硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;C01B33/00;C01D1/00 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;王智 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属硅 生产 应用 | ||
1.通过包括一种或多种碱金属或碱土金属的液体或蒸汽将硅烷气体转化为金属硅的方法。
2.根据权利要求1所述的方法，其中碱金属或碱土金属包括钠、或钾、或它们的合金。
3.根据权利要求1或2所述的方法的反应产物，包括金属硅和至少0.1%的金属钠。
4.根据权利要求1或2所述的方法的反应产物，包括金属硅和至少1%的金属钠。
5.根据权利要求3或4所述的金属硅，除去过量钠后，其中所述金属硅具有至少99.9%的纯度。
6.根据权利要求3或4所述的金属硅，除去过量钠后，其中所述金属硅具有至少99.99%的纯度。
7.根据权利要求3或4所述的金属硅，除去过量钠后，其中所述金属硅具有至少99.999%的纯度。
8.根据权利要求3或4所述的金属硅，除去过量钠后，其中所述金属硅具有至少99.9999%的纯度。
9.根据权利要求3或4所述的金属硅，除去过量钠后，其中所述金属硅具有至少99.99999%的纯度。
10.根据权利要求3-9任一所述的金属硅，其中所述金属硅具有小于1微米的一次粒子直径。
11.根据权利要求1或2所述的方法，其中碱金属或碱土金属在方法中被获取并回收以便重复使用。
12.根据权利要求1或2所述的方法中产生的氢气在商业应用中的用途。
13.根据权利要求5-9中任一所述的金属硅制备的光电设备。
14.根据权利要求5-9中任一所述的金属制备的半导体设备。
15.根据权利要求5-9中任一所述的金属硅制备的溅射靶。
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