[发明专利]用于预处理III族氮化物沉积的方法

权利要求书

1.一种方法，包括以下步骤：

提供一个或更多个基板至处理腔室中，所述一个或更多个基板具有含铝表面；以及

通过流入氨气和卤化氢气体至所述处理腔室的处理区域，且流入卤化铝气体至所述处理区域，使所述一个或更多个基板中的每一个基板的表面暴露至第一预处理气体混合物而形成预处理表面，以容许在所述预处理期间独立控制蚀刻及沉积。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：

形成III族氮化物层至所述预处理表面上，其中所述III族氮化物层包括氮化镓（GaN）层和氮化铝（AlN）层中的至少一种。

3.如权利要求1所述的方法，其中在所述预处理期间加入的所述卤化铝气体加快AlN的沉积速率。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述卤化铝气体为氯化铝气体，其中所述氯化铝气体通过使铝金属源暴露至包括氯气（Cl2）或氯化氢（HCl）气体的处理气体而形成。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述卤化氢气体包括氯化氢（HCl）气体，其中具有含铝表面的所述基板为蓝宝石基板。

6.如权利要求2所述的方法，进一步包括以下步骤：

使所述一个或更多基板的所述III族氮化物层的表面暴露至第二预处理气体混合物而形成第二预处理表面，其中所述第二预处理气体混合物包括氨（NH₃）气、含蚀刻剂气体和卤化铝气体。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述含蚀刻剂气体为卤化氢气体或卤素气体。

8.一种方法，包括以下步骤：

提供一个或更多个基板至处理腔室中，所述一个或更多个基板具有含铝表面；及

使所述一个或更多个基板中的每一个基板的表面暴露至第一预处理气体混合物而形成第一预处理表面，其中所述预处理气体混合物包括氨（NH₃）气、第一含蚀刻剂气体和卤化铝气体；及

使所述一个或更多个基板的所述第一预处理表面暴露至第二预处理气体混合物而形成第二预处理表面，其中所述第二预处理气体混合物包括所述氨（NH₃）气、第二含蚀刻剂气体和所述卤化铝气体。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包括以下步骤：

形成III族氮化物层至所述第二预处理表面上，其中所述III族氮化物层包括氮化镓（GaN）层和氮化铝（AlN）层中的至少一种。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述第一含蚀刻剂气体和所述第二含蚀刻剂气体包括卤化氢气体。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述第一含蚀刻剂气体和所述第二含蚀刻剂气体包括卤素气体。

12.一种方法，包括以下步骤：

提供一个或更多个基板至处理腔室中；

形成具有含铝表面的第一III族氮化物层至所述一个或更多个基板上；及

使所述第一III族氮化物层的表面暴露至预处理气体混合物而形成预处理表面，其中所述预处理气体混合物包括氨（NH₃）气、含蚀刻剂气体和卤化铝气体。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述含蚀刻剂气体包括卤化氢气体和卤素气体中的至少一种。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述第一III族氮化物层包括用于后续III族氮化物沉积的III族氮化物缓冲层和氮化铝（AlN）层中的至少一种。

15.如权利要求12所述的方法，进一步包括以下步骤：

形成第二III族氮化物层至所述第一III族氮化物层的所述预处理表面上。