[发明专利]光电子半导体模块和具有多个这种模块的显示器有效
申请号: | 201280024345.X | 申请日: | 2012-03-16 |
公开(公告)号: | CN103548157B | 公开(公告)日: | 2016-11-09 |
发明(设计)人: | 诺温·文马尔姆;乔治·伯格纳;约阿希姆·雷尔;斯特凡·格勒奇 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;F21S8/10;H01L25/075;H01L33/20;F21W101/02;F21Y105/00;F21Y115/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 张春水;田军锋 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电子 半导体 模块 具有 这种 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及一种具有多个在运行时发射光的区域的光电子半导体模块。此外,本发明还涉及一种具有多个这种半导体模块的显示器。
背景技术
通常需要的是,在运行期间改变光源的放射方向,所述光源的光例如在前照灯中以受限的空间角范围聚束。这尤其在车辆前照灯中是令人感兴趣的。在此可转动的前照灯固定部是已知的,所述前照灯固定部与控制装置机械地连接。
此外,作为车辆前照灯已知适应性的前照灯,即所谓的“适应性前照明系统”,缩写为AFS。这种适应性的前照灯在唯一的照明系统中能够实现在道路交通中的多种不同的照明目的。因此特别地能够产生与交通情况相关的照明情景。但是在这种常规的适应性的前照灯中,出现如下问题,即在发光二极管的直接投影中导致各个光源的成像并且此外导致暗的中间空间,以至于不能实现均匀的照明。这特别在车辆前照灯中是干扰性的。此外,常规的适应性的前照灯不能实现清晰地显现的明暗过渡,如还对于近光灯所规定的那样。
从参考文献DE102005014754、DE102007046339和EP1842723中例如已知机动车前照灯,所述机动车前照灯包括多个单独的LED或者LED芯片,所述LED或者LED芯片能够单独地被控制,其中由此在与相应的光学装置的组合中实现可变的前照灯。
发明内容
本申请的目的在于,提出一种具有改变的放射特性的光电子半导体模块,所述光电子半导体模块特别适合于AFS,并且通过所述光电子半导体模块实现清晰显现的明暗过渡,例如对于近光灯所规定的一样。
所述目的通过具有权利要求1的特征所述的光电子半导体模块来实现。此外,所述目的通过根据权利要求13所述的具有多个这种模块的显示器来实现。模块和显示器的有利的改进方案是从属权利要求的主题。
在一个实施形式中,光电子半导体模块包括多个在运行时发射光的区域,其中至少一个发射光的区域的至少两个彼此相交的侧边以大于0°且小于90°的角彼此设置。
因此,至少一个发射光的区域不以正方形或者矩形的形状构成,而是具有倾斜的侧边。通过倾斜地构成侧边,能够有利地构成具有尤其高的对比度和直的棱边的所规定的弯成一定角的明暗边界。因此根据本发明的模块能够实现例如在不具有机械可动的部件的汽车前照明装置的区域中的照明,所述前照明装置的特征在于有利的高的空间分辨率与同时所需要的照明强度。
多个在运行时发射光的区域能够一件式地构成。在这种情况下多个发射光的区域具有一个带有有源层的共同的半导体本体,所述有源层适合于产生辐射。在此发射光的区域通过相应地给半导体本体的区域通电而形成。
替选地,发射光的区域能够单独地并且个体地构成。在这种情况下,每个发射光的区域具有单独的半导体本体,所述半导体本体具有用于产生辐射的有源层。
半导体模块优选具有至少2×2的发射光的区域,优选至少10×10的发射光的区域,尤其优选至少20×20的发射光的区域。
至少一个发射光的区域的至少两个彼此相交的侧边的边长能够构成为是等长的。替选地,侧边的边长具有不同的长度比。
在一个改进方案中,模块的所有发射光的区域具有两个彼此相交的侧边,所述侧边以大于0°且小于90°的角彼此设置。因此,所有的发射光的区域具有倾斜的侧边,所述倾斜的侧边适合于构成明暗边界的尤其高的对比度和直的棱边。
在一个改进方案中,模块的发射光的区域彼此设置为,使得模块同样具有倾斜的侧边,也就是至少两个彼此相交的侧边,所述侧边以大于0°且小于90°的角彼此设置。
在一个改进方案中,发射光的区域是表面发射的区域。发射光的区域优选适合于将以电子方式生成的数据或能量转换为光发射或者反之亦然。发射光的区域特别是光电子的区域或者发射辐射的区域。例如发射光的区域是LED、尤其优选是薄膜LED。在本申请的范围内将下述LED视作为薄膜LED:在所述LED的制造期间,外延地生长有一个或多个半导体本体的生长衬底优选完全地被剥离。
发射光的区域分别包括有源层或者有源层的区域,所述有源层优选具有pn结、双异质结构、单量子阱结构(SQW,single quantum well)或者多量子阱结构(MQW,multi quantum well)以用于产生辐射。发射光的区域,特别是发射光的区域的层,优选包含III/V族半导体材料。III/V族半导体材料尤其适合于在紫外光谱范围经过可见光谱范围直至红外光谱范围中产生辐射。优选发射光的区域是发射蓝光的区域。
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