[发明专利]半导体制造装置部件的清洗方法、半导体制造装置部件的清洗装置及气相生长装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体制造装置部件的清洗方法、半导体制造装置部件的清洗装置及气相生长装置。

背景技术

氮化物半导体制造装置（以下，称为“半导体制造装置”。）是在硅晶片上堆积GaN（氮化镓）或AlGaN（氮化镓铝）等氮化物来制造半导体。在此过程中，应当堆积在半导体制造装置内晶片上的GaN等半导体薄膜会附着在保持晶片的晶片承载器或气体流路等晶片以外的各种部件上。

附着在晶片以外部件上的GaN等成为不需要的污染物，成为制造氮化物半导体方面的障碍，因此需要清洗污染部件从而除去上述氮化物。

通常，将GaN或AlGaN等氮化物与将氯系气体作为主成分的清洗气体反应，从而除去附着在半导体制造装置部件上的氮化物。

专利文献1（日本特开2006-332201号公报）中记载了一种将氮化物半导体制造装置内的被污染的部件，在500℃以上1000℃以下的温度中，与将氯系气体作为主成分的清洗气体接触的清洗方法。该文献中，被污染的部件的氮化物与清洗气体中的氯系气体反应。所生成的反应生成物在500℃以上的温度下气化被除去。而且，该方法无需形成1000℃以上的高温，因此不会引起晶片承载器的热变形。

此外，专利文献2（日本特开2010-245376号公报）中记载了一种在反应室内的下部配置有清洗气体导入管的清洗装置。在反应室内的下部配置有清洗气体导入管，因此导入到反应室内的清洗气体不会冲击遮热部件而分流。因此，能够将清洗气体有效地利用到对污染部件的清洗上。

此外，专利文献3（日本特开2010-212400号公报）中记载了一种氮化物半导体装置部件的清洗装置，其在对具有清洗气体导入管和排出气体排出管的反应管的两端开口部进行闭塞的密封罩的密封面一侧具备防粘板（adhesionpreventive plate），所述防粘板被设置成接近密封面以使其与密封面之间具有空间。通过防粘板能够抑制反应生成物附着在密封罩的内壁上。因此，清洗后打开反应管取出清洗的部件时，不会发生该反应生成物与空气中的水分反应生成有毒的气体，并且作业者能够安全地进行清洗作业。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-332201号公报

专利文献2：日本特开2010-245376号公报

专利文献3：日本特开2010-212400号公报

专利文献4：日本特开2007-109928号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在如专利文献1～3的方法中，存在GaN或AlGaN等氮化物与氯系气体的反应生成物附着在半导体制造装置部件或清洗装置内的情况，需要在清洗操作中连续地实施反应生成物的去除。此时，未使用的清洗气体的一部分也与反应生成物一起被除去，因此需要连续地向装置内供给清洗气体。因此，用于除去污染物所需要的清洗气体的使用量会多。

此外，专利文献4（日本特开2007-109928号公报）中，记载了一种氮化物半导体制造装置部件的清洗方法，其特征在于，将在氮化物半导体制造装置内被污染的部件与氯系气体作为主成分的第一清洗气体接触，从而除去污染物质，通过与第二清洗气体接触，从而除去残留在部件上的氯系物质。而且，专利文献4中记载了以分批处理（密封）方式实施与第一清洗气体的接触和与第二清洗气体的接触。

在该文献中，显示出了密封方式与通气处理（气流）方式相比能够更加减少氯气的使用量。

本发明人等根据专利文献4记载的方法尝试用密封方式清洗半导体制造装置部件时，与气流方式相比确实能够在一定程度上减少氯气的使用量。但是，确认了清洗效率仍然低，还有进一步改善的余地。

本发明是鉴于上述情况作出的发明，其提供一种能够减少清洗气体的使用量，并且清洗效率优异的半导体制造装置部件的清洗方法及半导体制造装置部件的清洗装置。

而且，本发明是鉴于上述情况作出的发明，其提供一种成品率优异的气相生长装置。

解决课题所用的方法

根据本发明提供一种半导体制造装置部件的清洗方法，其在实施第一工序和第二工序之后，实施第三工序，

所述第一工序将附着有用通式Al_xIn_yGa_1-x-yN（其中，x、y为0≤x＜1，0≤y＜1、0≤x+y＜1。）表示的氮化物半导体的半导体制造装置部件配置在具备气体导入管和气体排出管的装置内；

所述第二工序将上述装置内变成减压状态后，从上述气体导入管导入含卤素气体；