[发明专利]作为用于MRI RF线圈的失谐电路的FET开关

权利要求书

1.一种用于在磁共振中使用的射频（RF）线圈组件，其包括：

射频线圈（42，100）；以及

电子开关（28），其在断开和闭合状态之间进行切换以使所述线圈（42，100）失谐和调谐至预选共振频率，每一电子开关（28）包括：

至少一个场效应晶体管（FET）（70）和偏置网络（72）。

2.根据权利要求1所述的RF线圈组件，其中，所述RF线圈（42，100）是环形线圈，并且所述至少一个FET（70）被连接到环内以在所述至少一个FET（70）闭合时将所述环形线圈调谐至所述MR频率并且在所述FET（70）断开时使所述环形线圈失谐。

3.根据权利要求1和2中任一项所述的RF线圈组件，其中，所述偏置网络（72）包括：

偏置电路（74），其生成控制信号以将所述至少一个FET（70）从闭合状态切换至断开状态。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的RF线圈组件，其中，控制信号从有源偏置信号和自偏置信号中的至少一种生成。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的RF线圈组件，其中，所述电子开关（28）还包括：

补偿电路（90），其在调谐状态期间去除所述电子开关（28）的寄生电容。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的RF线圈组件，其中，所述偏置电路（74）包括：

偏置限制器（80），其限制所述有源偏置信号和所述自偏置信号的电压。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的RF线圈组件，其中，所述电子开关（28）还包括：

自偏置网络，其通过对入射RF信号的部分进行整流而生成所述自偏置信号。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的RF线圈组件，其中，所述FET（70）是由碳化硅和氮化镓中的至少一种制造的。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的RF线圈组件，其中，多个状态之间的切换时间小于50微秒。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的RF线圈组件，其中，所述电子开关（28）在所述调谐状态期间具有小于0.3欧姆的电阻并且在所述失谐状态期间具有大于3000欧姆的电阻。

11.根据权利要求1-10中任一项所述的RF线圈组件，其中，所述电子开关（28）在所述失谐状态中能够耐受大于100伏特的电压。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的RF线圈组件，其中，所述电子开关（28）包括串联布置的FET（70）阵列，用于提高所述电子开关（28）的额定电压。

13.根据权利要求1-11中任一项所述的RF线圈组件，其中，所述电子开关（28）包括并联布置的FET（70）阵列，用于降低所述电子开关（28）的电阻。

14.一种磁共振系统，包括：

磁体（12），其在检查区域（14）中生成静态磁场；

RF发射器（24）和RF发射线圈（18），其以磁频率生成RF脉冲从而在所述检查区域（14）中激励和操纵共振；

根据权利要求1-13中任一项所述的至少一个RF接收线圈组件，其被配置为从所述检查区域（14）采集磁共振数据；

至少一个RF接收器（26），其连接至所述至少一个RF线圈组件；

控制电路，其生成用于对所述电子开关（28）中的至少一个的状态进行切换的控制信号；以及

扫描控制器（20），其被配置为对所述RF发射器（24）和RF接收器（26）以及所述控制电路进行控制。

15.根据权利要求14所述的磁共振系统，还包括：

数据处理器（32），其对来自所述RF接收器（26）的共振数据进行处理以生成磁共振成像数据或磁共振谱学数据中的一种；以及

显示器（34），其显示共振信号处理的结果。