[发明专利]凹陷终端结构和带有凹陷终端结构的电子器件的制备方法

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

漂移区；

肖特基接触，位于所述漂移区的表面上；

边缘终端，位于所述漂移区内与所述肖特基接触相邻，其中所述边缘终端包括凹陷区和所述凹陷区内的边缘终端结构，所述凹陷区从所述漂移区的表面凹陷距离d；

在所述肖特基接触之下位于所述漂移区的表面处的上保护环；

其中所述边缘终端结构包括所述凹陷区的表面处的多个下保护环和所述凹陷区的表面处的轻掺杂区，其中所述多个下保护环延伸到所述轻掺杂区中，并且其中所述下保护环通过至少一个间隙彼此分隔，并且其中所述上保护环、所述轻掺杂区和所述多个下保护环具有与所述漂移区的第一导电类型相反的第二导电类型。

2.如权利要求1所述的电子器件，进一步包括多个结型势垒肖特基区，所述结型势垒肖特基区位于所述漂移区的表面处且与所述肖特基接触相接触，其中所述漂移区具有第一导电类型而所述多个结型势垒肖特基区具有与第一导电类型相反的第二导电类型。

3.如权利要求1所述的电子器件，其中所述距离d为0.2微米至1微米。

4.如权利要求1所述的电子器件，其中所述距离d为0.4微米至0.8微米。

5.如权利要求1所述的电子器件，其中所述距离d为约0.5微米。

6.如权利要求1所述的电子器件，进一步包括侧墙，所述侧墙在所述漂移区内位于所述肖特基接触和所述凹陷区之间，其中第一下保护环位于所述侧墙基底处与所述肖特基接触相邻。

7.如权利要求2所述的电子器件，其中所述距离d大于所述结型势垒肖特基区从所述漂移区表面进入所述漂移区的深度。

8.如权利要求1所述的电子器件，其中所述漂移区包括碳化硅。

9.如权利要求8所述的电子器件，其中所述漂移区包括具有多型2H，4H，6H，3C和/或15R的碳化硅。

10.如权利要求1所述的电子器件，所述电子器件具有超过780mJ/cm²的额定雪崩，其中额定雪崩被定义为V_BR×I_R×t_pulse/芯片面积，其中V_BR是所述器件的击穿电压，I_R是所述器件的额定反向电流，t_pulse是造成器件故障的电流脉冲的最小持续时间。

11.如权利要求10所述的电子器件，其中所述额定雪崩大于1000mJ/cm²。

12.如权利要求10所述的电子器件，其中所述额定雪崩大于1200mJ/cm²。

13.如权利要求10所述的电子器件，其中所述额定雪崩大于1500mJ/cm²。

14.如权利要求1所述的电子器件，所述电子器件具有比理论雪崩击穿电压小的漏电压，所述漏电压距所述理论雪崩击穿电压小于100V，其中所述漏电压被定义为造成至少100μA/cm²漏电流的所述器件上的反向电压。

15.如权利要求14所述的电子器件，其中所述电子器件具有比所述器件的理论雪崩击穿电压小的漏电压，所述漏电压距所述理论雪崩击穿电压小于25V。

16.一种电子器件，包括：

漂移区，具有第一导电类型；

有源区域，包括在所述漂移区表面处的第一区域，所述第一区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型，其中当所述电子器件被反向偏压时，在所述漂移区与所述第一区域之间的p-n结被配置为承受电压；以及

边缘终端，所述边缘终端位于所述漂移区内与所述有源区域相邻，其中所述边缘终端包括凹陷区和在所述凹陷区内的边缘终端结构，所述凹陷区从所述漂移区表面凹陷距离d；

位于所述漂移区的表面处的上保护环；

其中所述边缘终端结构包括所述凹陷区的表面处的多个下保护环和所述凹陷区的表面处的轻掺杂区，其中所述多个下保护环延伸到所述轻掺杂区中，并且其中所述下保护环通过至少一个间隙彼此分隔，并且其中所述上保护环、所述轻掺杂区和所述多个下保护环具有与所述漂移区的第一导电类型相反的第二导电类型。