[发明专利]硅氧烷低聚物的制造方法

权利要求书

1.一种硅氧烷低聚物的制造方法，其特征在于，使用式(1)表示的2-羟基羧酸化合物作为催化剂，水解烷氧基硅烷并使其缩合；

式（1）中，R¹以及R²各自独立地表示氢原子、羟基、具有取代基或者不具有取代基的总碳原子数为1～20的饱和烃基、具有取代基或者不具有取代基的总碳原子数为2～20的不饱和烃基、具有取代基或者不具有取代基的总碳原子数为6～20的芳香族烃基、羧基、总碳原子数为2～20的酯基或者总碳原子数为2～20的酰基；或者，R¹和R²通过饱和烃基链或者不饱和烃基链结合，所述饱和烃基链具有取代基或者不具有取代基，所述不饱和烃基链具有取代基或者不具有取代基；R¹和R²的取代基选自羟基、饱和烃基、不饱和烃基、芳香族烃基、酯基、羧基以及酰基中的1个或者多个。

2.如权利要求1所述的硅氧烷低聚物的制造方法，其中，所述烷氧基硅烷用下述式(2)表示，

式(2)中R⁵表示被取代或者不被取代的下述基团：总碳原子数为1～10的烷基、苯基、乙烯基、（甲基）丙烯酰基、环氧基、酰胺基、巯基、异氰酸酯基或者碳原子数2～4的酰基；R⁶表示碳原子数1～10的烷基；m表示0～3的整数。

3.一种硅氧烷低聚物，其在ZY坐标中满足以下关系，所述Z为(A1+A2)/A3，所述Y为A1/A2，所述A1、A2以及A3分别为用FT-IR通过全反射法测定的红外吸收光谱中由下述所表示的峰面积，

Y≦0.065Z＋0.99  且4.0≦Z

规定所述红外吸收光谱中，表示1240cm^-1处的吸光度的点为点A，表示960cm^-1处的吸光度的点为点B，线段AB上的1050cm^-1处的点为点C，表示1050cm^-1处的吸光度的点为点E，表示860cm^-1处的吸光度的点为点D；所述A1是由线段AC、线段CE和线段AC上侧的光谱曲线所围成的面积，所述A2是由线段CB、线段CE和线段CB上侧的光谱曲线所围成的面积，所述A3是由线段BD和线段BD上侧的光谱曲线所围成的面积。

4.如权利要求3中所述的硅氧烷低聚物，其在XY坐标中满足以下的关系，

Y≦（0.7／2400）X＋1.025  且   600≦X

其中X为用GPC测定的聚苯乙烯换算的重均分子量Mw，Y为所述红外吸收光谱中的所述峰面积A1和A2的比A1/A2。

5.一种固化性组合物，其中包含用权利要求1或者2所述的硅氧烷低聚物的制造方法得到的硅氧烷低聚物。

6.一种聚硅氧烷固化包膜的制造方法，其中，将权利要求5中所述的固化性组合物配置于基材从而形成包膜，通过活化能射线的照射或者加热使所述包膜固化。

7.一种聚硅氧烷固化包膜，其是将固化性组合物配置于基材从而形成包膜，通过活化能射线的照射或者加热使所述包膜固化而得到的聚硅氧烷固化包膜，所述固化性组合物包含权利要求3或者4中所述的硅氧烷低聚物。