[发明专利]用于形成激光二极管结构中的隔离区的剥离处理

权利要求书

1.一种制造激光二极管结构的方法，所述激光二极管结构包括半导体衬底、轴向延伸波导结构以及位于所述半导体衬底上的绝缘层，其中所述方法包括：

利用光刻过程来形成所述轴向延伸波导结构的至少一部分，使得在所述光刻过程之后，图案化光刻胶残留物驻留在所述轴向延伸波导结构上；

通过对所述图案化光刻胶残留物进行附加光刻过程，在所述图案化光刻胶残留物中形成图案化隔离开口和剥离光刻胶部分，使得在所述附加光刻过程之后，所述剥离光刻胶部分保持驻留在所述轴向延伸波导结构上；

在所述图案化隔离开口和所述剥离光刻胶部分上形成绝缘层；

对绝缘层和下层剥离光刻胶部分进行剥离过程以留下驻留在所述轴向延伸波导结构上的所述绝缘层的图案化隔离区。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层包括氮化硅，并且在不超过所述剥离光刻胶部分的硬烘温度的温度下在所述图案化隔离开口和所述剥离光刻胶部分上形成所述绝缘层。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层包括氮化硅，并且在不超过200℃的温度下在所述图案化隔离开口和所述剥离光刻胶部分上形成所述绝缘层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层包括以Si₃N₄形式存在的氮化硅。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层包括氧化硅，并且在不超过所述剥离光刻胶部分的硬烘温度的温度下在所述图案化隔离开口和所述剥离光刻胶部分上形成所述绝缘层。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层包括氧化硅，并且在不超过200℃的温度下在所述图案化隔离开口和所述剥离光刻胶部分上形成所述绝缘层。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层包括以SiO₂形式存在的氧化硅。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，包括所述图案化光刻胶残留物和所述轴向延伸波导结构的至少一部分的波导脊是在所述半导体衬底中形成的。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述波导脊是通过蚀刻所述半导体衬底来形成的。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述激光二极管结构还包括在所述波导结构的有限轴向部分上延伸的控制元件；以及

所述控制元件的至少一部分是在驻留在所述轴向延伸波导结构上的所述图案化隔离区上形成的。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述控制元件包括在所述波导结构的有限轴向部分上延伸的加热元件以及导电耦合到所述加热元件的加热器焊盘。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光二极管结构包括多个功能区，且所述图案化隔离区在所述激光二极管结构的功能区之一上形成以将所述激光二极管结构的增益段电隔离。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光二极管结构包括激光器端面，且所述隔离区是靠近所述激光器端面而形成的且作为所述激光二极管的未泵浦的窗口段。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光二极管结构包括脊波导。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光二极管结构包括双异质结构激光器、量子阱激光器、量子级联激光器、DBR半导体激光器、DFB半导体激光器、或外腔激光器。

16.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光二极管结构包括DBR半导体激光器，且所述图案化隔离区是在所述激光器的波长选择DBR部分上形成的。

17.一种激光二极管结构，包括半导体衬底、轴向延伸波导结构、在所述波导结构的有限轴向部分上延伸的控制元件以及绝缘层的图案化隔离区，所述隔离区驻留在所述轴向延伸波导结构上，其中：

所述控制元件的至少一部分是在驻留在所述轴向延伸波导结构上的所述图案化隔离区上形成的；

所述图案化隔离区、所述控制元件以及所述绝缘层的波导部分沿所述波导结构的有限轴向尺寸而基本上连续地驻留在所述波导结构上。