[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

存储单元阵列，其包括多个第一线、与所述第一线交叉的多个第二线、以及在所述多个第一线与所述多个第二线的交叉处设置的多个存储单元，所述多个存储单元通过操作根据不同的电阻状态存储数据；和

写入电路，其通过操作对所述多个存储单元中的被定为数据写入目标的、选择的存储单元执行写入操作，

所述存储单元具有用于在施加第一极性的置位电压时将所述电阻状态从第一电阻状态改变为第二电阻状态的置位操作、和用于在施加极性与所述第一极性相反的第二极性的复位电压时将所述电阻状态从所述第二电阻状态改变为所述第一电阻状态的复位操作，并具有不对称的在所述第一极性上的电压-电流特性和在所述第二极性上的电压-电流特性，并且

所述写入电路，在执行所述写入操作时，

执行第一步骤：跨与所述选择的存储单元连接的所述第一线和第二线施加电压，并跨与所述多个存储单元中的未被定为数据写入目标的、未选择的存储单元连接的所述第一线和第二线施加不同的电压，

在执行所述第一步骤之后，执行第二步骤：跨与所述选择的存储单元连接的所述第一线和第二线施加数据写入所需的电压，并将与所述未选择的存储单元连接的所述第一线和第二线中的至少一个置于浮动状态。

2.根据权利要求1的半导体存储装置，其中

与所述选择的存储单元连接的所述第一线和第二线上的电位分别用U1和V1来表示，并且与所述未选择的存储单元连接的所述第一线和第二线上的电位分别用U和V来表示，并且

所述写入电路，在用于使所述存储单元受到置位操作的所述写入操作时，在V–U>V1–U1的条件下执行所述第一步骤。

3.根据权利要求2的半导体存储装置，其中

所述写入电路，在用于使所述存储单元受到置位操作的所述写入操作时，在U1=V1和U<V的条件下执行所述第一步骤。

4.根据权利要求1的半导体存储装置，其中

与所述选择的存储单元连接的所述第一线和第二线上的电位分别用U1和V1来表示，并且与所述未选择的存储单元连接的所述第一线和第二线上的电位分别用U和V来表示，并且

所述写入电路，在用于使所述存储单元受到复位操作的所述写入操作时，在V1–U1>V–U的条件下执行所述第一步骤。

5.根据权利要求4的半导体存储装置，其中

所述写入电路，在用于使所述存储单元受到复位操作的所述写入操作时，在V=U和U1<V1的条件下执行所述第一步骤。

6.根据权利要求1的半导体存储装置，其中

所述写入电路将与所述多个第二线中的一个第二线连接的多个存储单元确定为选择的存储单元，并对所选择的多个存储单元执行同时写入操作。

7.根据权利要求6的半导体存储装置，其中

所述写入电路将与所选择的多个存储单元相邻的存储单元确定为未选择的存储单元，并对所选择的多个存储单元执行同时写入操作。

8.一种半导体存储装置，包括：

存储单元阵列，其包括多个第一线、与所述第一线交叉的多个第二线、以及在所述多个第一线与所述多个第二线的交叉处设置的多个存储单元，所述多个存储单元通过操作根据不同的电阻状态存储数据；和

写入电路，其通过操作对所述多个存储单元中的被定为数据写入目标的、选择的存储单元执行写入操作，

所述存储单元具有用于在施加第一极性的置位电压时将所述电阻状态从第一电阻状态改变为第二电阻状态的置位操作、和用于在施加极性与所述第一极性相反的第二极性的复位电压时将所述电阻状态从所述第二电阻状态改变为所述第一电阻状态的复位操作，并且

所述写入电路，在执行所述写入操作时，

执行第一步骤：跨与所述选择的存储单元连接的所述第一线和第二线施加电压，并跨与所述多个存储单元中的未被定为数据写入目标的、未选择的存储单元连接的所述第一线和第二线施加不同的电压，

在执行所述第一步骤之后，执行第二步骤：跨与所述选择的存储单元连接的所述第一线和第二线施加数据写入所需的电压，并将与所述未选择的存储单元连接的所述第一线和第二线中的至少一个置于浮动状态。