[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件（100，200），所述半导体器件包括：

衬底（190，290），所述衬底具有由半导体制成的表面（SR，SW），所述半导体具有多型4H的六方形单晶结构，通过交替地设置第一平面（S1）和第二平面（S2）来构建所述衬底的所述表面，所述第一平面具有（0-33-8）的平面取向，所述第二平面连接到所述第一平面并且具有与所述第一平面的所述平面取向不同的平面取向；

栅绝缘膜（113，213），所述栅绝缘膜被设置在所述衬底的所述表面上；以及

栅电极（117，217），所述栅电极被设置在所述栅绝缘膜上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第二平面具有（0-11-1）的平面取向。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，

所述半导体是碳化硅。

4.一种半导体器件（100，200），所述半导体器件包括：

衬底（190，290），所述衬底具有由半导体制成的表面（SR，SW），所述半导体具有除立方体结构之外的单晶结构，所述单晶结构周期性地包括有与所述立方体结构等价的等价结构，通过交替地设置第一平面（S1）和第二平面（S2）来构建所述衬底的所述表面，所述第一平面具有在所述等价结构中的（001）的平面取向，所述第二平面连接到所述第一平面并且具有与所述第一平面的所述平面取向不同的平面取向；

栅绝缘膜（113，213），所述栅绝缘膜被设置在所述衬底的所述表面上；以及

栅电极（117，217），所述栅电极被设置在所述栅绝缘膜上。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述单晶结构具有六方形结构和菱面体结构中的一种。

6.一种用于制造半导体器件（100，200）的方法，所述方法包括以下各步骤：

准备衬底（190，290），所述衬底具有由碳化硅制成的表面（SR，SW），所述碳化硅具有多型4H的六方形单晶结构；

对所述衬底的所述表面进行化学处理，以在所述衬底的所述表面中交替地形成第一平面（S1）和第二平面（S2），所述第一平面（S1）具有（0-33-8）的平面取向，所述第二平面（S2）连接到所述第一平面并且具有与所述第一平面的所述平面取向不同的平面取向；

在所述衬底的所述表面上形成栅绝缘膜（113，213）；以及

在所述栅绝缘膜上形成栅电极（117，217）。

7.根据权利要求6所述的用于制造半导体器件的方法，其中，

所述第二平面具有（0-11-1）的平面取向。

8.根据权利要求6或7所述的用于制造半导体器件的方法，其中，

对所述表面进行化学处理的步骤包括对所述表面进行化学蚀刻的步骤。

9.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法，其中，

对所述表面进行化学蚀刻的步骤包括对所述表面进行热蚀刻的步骤。

10.根据权利要求9所述的用于制造半导体器件的方法，其中，对所述表面进行热蚀刻的步骤包括以下步骤：

在包括至少一种或多种类型的卤素原子的气氛中加热所述衬底。

11.根据权利要求10所述的用于制造半导体器件的方法，其中，

所述至少一种或多种类型的卤素原子包括氯原子和氟原子中的至少一种。