[发明专利]交叉指状垂直原生电容器有效
申请号: | 201280025990.3 | 申请日: | 2012-06-05 |
公开(公告)号: | CN103597598A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | E.汤普森;小罗杰.A.布思;陆宁;C.S.帕特纳姆 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
地址: | 美国纽*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 交叉 垂直 原生 电容器 | ||
1.一种金属电容器结构,包括多个线层结构(15、16、25、26)和至少一个通路层结构(31、32、33、34、41或42),其中,在每个线层,所述多个线层结构(15、16、25、26)包括:
第一线层结构(15或25),包括具有第一长方体形状的第一矩形标签结构(13或23)和第一多个平行金属线(11或21),所述第一多个平行金属线(11或21)从所述第一矩形标签结构(13或23)的侧壁突出且与所述第一矩形标签结构(13或23)的侧壁邻接;以及
第二线层结构(16或26),包括具有第二长方体形状的第二矩形标签结构(14或24)和第二多个平行金属线(12或22),所述第二多个平行金属线(12或22)从所述第二矩形标签结构(14或24)突出且与所述第二矩形标签结构(14或24)邻接,其中所述第一多个平行金属线(11或21)和所述第二多个平行金属线(12或22)共同构成在一个方向上具有节距的交叉指状均匀节距结构((11、12)或(21、22)),并且所述第一矩形标签结构(13或23)和所述第二矩形标签结构(14或24)不突出进入所述第一矩形标签结构(13或23)的所述侧壁和所述第二矩形标签结构(14或24)的所述侧壁之间的区域。
2.如权利要求1所述的金属电容器结构,其中每对垂直相邻的第一线层结构(15、25)在成对的垂直相邻第一矩形标签结构(13、23)的水平截面区域在俯视图上重叠的第一拐角区域由至少一个第一标签内通路结构(41)接触,并且每对垂直相邻第二线层结构(16、26)在所述成对的垂直相邻第二矩形标签结构(14、24)的水平截面区域在所述俯视图上重叠的第二拐角区域由至少一个第二标签内通路结构(42)接触。
3.如权利要求2所述的金属电容器结构,还包括第一多个线内通路结构(31)和第二多个线内通路结构(32),其中所述第一多个线内通路结构(31)的每一个垂直接触所述多个第一线层结构(15、25)中的一个中的上层第一金属线(11或21)和所述多个第一线层结构(15、25)中的另一个中的下层第一金属线(21或11),并且所述第二多个线内通路结构(32)的每一个垂直接触所述多个第二线层结构(16、26)中的一个中的上层第二金属线(12或22)和所述多个第二线层结构(16、26)中的另一个中的下层第二金属线(22或12)。
4.如权利要求3所述的金属电容器结构,还包括第一多个线至标签通路结构(33)和第二多个线至标签通路结构(34),其中所述第一多个线至标签通路结构(33)的每一个垂直接触所述多个第一线层结构(15、25)中的所述一个中的另一个第一金属线(11或21)和所述多个第一线层结构(15、25)中的所述另一个中的第一矩形标签结构(23或13),并且所述第二多个线内通路结构(34)的每一个垂直接触所述多个第二线层结构(16、26)中的所述一个中的另一个第二金属线(12或22)和所述多个第二线层结构(16、26)中的所述另一个中的第二矩形标签结构(24或14)。
5.如权利要求1所述的金属电容器结构,其中所述第一多个平行金属线(11或21)和所述第二多个平行金属线(12或22)在所述交叉指状均匀节距结构((11、12)或(21、22))内全部具有相同的宽度。
6.如权利要求5所述的金属电容器结构,其中所述第一多个平行金属线(11或21)的每一个的侧壁平行于所述第二多个平行金属线(12或22)之一的侧壁且与其具有均匀的间隔。
7.如权利要求6所述的金属电容器结构,其中所述相同的宽度和所述均匀的间隔之和等于所述交叉指状均匀节距结构((11、12)或(21、22))的所述节距。
8.如权利要求1所述的金属电容器结构,其中所述第一矩形标签结构(13或23)的所述侧壁和所述第二矩形标签结构(14或24)的所述侧壁其间以分隔距离彼此横向间隔开,所述分隔距离在沿着所述第一矩形标签结构(13或23)的所述侧壁的水平方向的平移下是不变的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的