[发明专利]贴合晶片的制造方法及贴合SOI晶片

权利要求书

1.一种贴合晶片的制造方法，该贴合晶片的制造方法使用具备旋转体和设置于该旋转体且配置基片的多个晶片保持件并对配置于该晶片保持件且公转的多个基片注入离子的分批式离子注入器，且具有：从键合晶片的表面注入氢离子、稀有气体离子的至少一种气体离子而形成离子注入层的离子注入工序；将上述键合晶片的注入了离子的表面与衬底晶片的表面直接或隔着绝缘膜贴合的贴合工序；以及通过在上述离子注入层剥离键合晶片而制作在上述衬底晶片上具有薄膜的贴合晶片的剥离工序，上述贴合晶片的制造方法，其特征在于，

分多次进行对于上述离子注入工序中的键合晶片的离子注入，且每次注入离子后使配置于上述晶片保持件的键合晶片仅自转规定的旋转角度，并在已自转的配置位置进行下一个离子注入。

2.根据权利要求1所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，

分两次进行上述离子注入，进行第一次离子注入之后使上述键合晶片自转90度或180度，并在已自转的配置位置进行第二次离子注入。

3.根据权利要求1所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，

分四次进行上述离子注入，第二次以后的离子注入在相对于第一次离子注入仅自转90、180、以及270度之一旋转角度的配置位置进行。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，

将上述键合晶片的表面的结晶面与上述离子注入方向之间的角度设定成垂直而进行上述每一次离子注入。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，

将硅单晶片用作上述键合晶片，且将100nm以下的硅氧化膜用作上述绝缘膜。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的贴合晶片的制造方法，其特征在于，

通过使用在上述衬底晶片上的薄膜进行牺牲氧化处理，由该牺牲氧化而形成的氧化膜厚分布呈同心圆状且外周侧的氧化膜厚变薄的氧化炉在上述薄膜进行牺牲氧化处理而进行上述薄膜的膜厚调整。

7.一种贴合SOI晶片，在衬底晶片的表面依次形成有埋入式氧化膜层和SOI层，上述贴合SOI晶片，其特征在于，

上述埋入式氧化膜层的膜厚为100nm以下，且上述SOI层的面内膜厚范围是1nm以下。