[发明专利]平面外间隔件限定的电极

权利要求书

1.一种形成平面外电极的方法，包括：

在装置层的上表面之上提供氧化物层；

在所述氧化物层的上表面之上提供第一覆盖层部分；

蚀刻第一电极周边限定沟槽，其延伸穿过第一覆盖层部分，并在所述氧化物层处终止；

在第一电极周边限定沟槽内沉积第一材料部分；

在已沉积的第一材料部分之上沉积第二覆盖层部分；

将所述氧化物层的一部分气相释放掉；

在第二覆盖层部分之上沉积第三覆盖层部分；

蚀刻第二电极周边限定沟槽，其延伸穿过第二覆盖层部分和第三覆盖层部分；和

在第二电极周边限定沟槽内沉积第二材料部分，使得包括第一材料部分和第二材料部分的间隔件限定出平面外电极的周边。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

蚀刻延伸穿过第一覆盖层部分和所述氧化物层的蚀刻停止部周边限定沟槽；和

在所述蚀刻停止部周边限定沟槽内沉积第三材料部分，其中，将所述氧化物层的一部分气相释放掉包括：将所述氧化物层的一部分气相释放至由第三材料部分限定的边界。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

在已沉积的第一材料部分上沉积蚀刻停止层部分，其中，蚀刻第二电极周边限定沟槽包括：

蚀刻穿过第二覆盖层部分并延伸至蚀刻停止层的第二电极周边限定沟槽。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述第一覆盖层部分、所述第二覆盖层部分和所述第三覆盖层部分通过外延沉积过程沉积。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一材料部分和所述第二材料部分包括氮化硅。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

在已沉积的第一材料部分上沉积蚀刻停止层部分，其中，蚀刻第二电极周边限定沟槽包括：

蚀刻穿过第二覆盖层部分并延伸至蚀刻停止层的第二电极周边限定沟槽。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

蚀刻穿过第一覆盖层和第二覆盖层的通气孔，其中，将所述氧化物层的一部分气相释放掉包括：

将所述氧化物层的一部分通过通气孔气相释放掉。

8.一种具有平面外电极的装置，包括：

位于处理层之上的装置层；

覆盖层，其具有与所述装置层的上表面隔开的第一覆盖层部分；和

平面外电极，其被间隔件限定在第一覆盖层部分内。

9.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述覆盖层是外延沉积的覆盖层。

10.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述间隔件包括氮化硅。

11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，所述间隔件包括：

第一氮化硅部分，其从所述覆盖层的下表面向上延伸；

第二氮化硅部分，其从所述覆盖层的上表面向下延伸；和

蚀刻停止部分，其位于所述第一氮化硅部分与所述第二氮化硅部分之间。

12.如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

氧化物层部分，其位于第二覆盖层部分与所述装置层的上表面之间；和

蚀刻停止部，其从所述覆盖层内向下延伸，并限定出所述氧化物层部分的边界。

13.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述间隔件包括：

第一氮化硅部分，其从所述覆盖层的下表面向上延伸；

第二氮化硅部分，其从所述覆盖层的上表面向下延伸；和

蚀刻停止部分，其位于所述第一氮化硅部分与所述第二氮化硅部分之间。

14.如权利要求12所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

氧化物埋层部分，其位于所述装置层的下表面与处理层的上表面之间；和

蚀刻停止部，其从所述装置层的上表面向下延伸，并限定出所述氧化物埋层部分的边界。