[发明专利]自适应配方选择器

权利要求书

1.一种用于处理晶圆的方法，包括：

通过处理系统接收第一组图案化晶圆以及相关联的离子能量IE数据，每个所述图案化晶圆具有位于其上的第一图案化软掩模层以及多个附加层；

从所述第一组图案化晶圆中选择第一图案化晶圆；

使用所述IE数据建立用于所选择的图案化晶圆的第一离子能量IE相关处理工序；

确定所述第一IE相关处理工序是否包括第一离子能量控制IEC蚀刻工序；

当所述第一IE相关处理工序包括所述第一IEC蚀刻工序时，执行所述第一IEC蚀刻工序，其中在使用所述第一组图案化晶圆执行所述第一IEC蚀刻工序时，形成第二组图案化晶圆；以及

当所述第一IE相关处理工序不包括所述第一IEC蚀刻工序时，执行至少一个校正动作。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

确定所述第一IEC蚀刻工序是否包括第一离子能量优化IEO蚀刻制程；

当所述第一IEC蚀刻工序包括所述第一IEO蚀刻制程时，执行所述第一IEO蚀刻制程，其中所述第一IEO蚀刻制程使用第一蚀刻子系统，所述第一蚀刻子系统具有配置于其中的第一离子能量控制IEC处理室和耦接至其的第一多输入/多输出MIMO控制器；以及

当所述IEC蚀刻工序不包括所述第一IEO蚀刻制程时，执行第一校正动作。

3.根据权利要求2所述的方法，其中执行所述第一IEO蚀刻制程包括：

从所述第一组图案化晶圆中选择图案化晶圆；

将所选择的图案化晶圆放置在所述第一IEC处理室中的第一晶圆保持器上；

在所述第一IEC处理室中形成第一离子能量优化IEO等离子体；

使用所述第一IEO等离子体处理该所选择的图案化晶圆；以及

在处理该所选择的图案化晶圆的同时，获得第一IE传感器数据，其中第一离子能量IE传感器被耦接到所述第一IEC处理室并且被配置为获得所述第一IE传感器数据。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

确定所述第一IEC蚀刻工序是否包括第二IEO蚀刻制程；

当所述第一IEC蚀刻工序包括所述第二IEO蚀刻制程时，执行所述第二IEO蚀刻制程，其中所述第二IEO蚀刻制程使用第二蚀刻子系统，所述第二蚀刻子系统具有配置于其中的第二IEC处理室和耦接至其的第二MIMO控制器；以及

当所述IEC蚀刻工序不包括所述第二IEO蚀刻制程时，执行第一确认制程。

5.根据权利要求4所述的方法，其中执行所述第二IEO蚀刻制程包括：

从第一组蚀刻的图案化晶圆中选择蚀刻的图案化晶圆；

将所选择的蚀刻的图案化晶圆放置在所述第二IEC处理室中的第二晶圆保持器上；

在所述第二IEC处理室中形成第二IEO等离子体；

使用所述第二IEO等离子体处理该所选择的蚀刻的图案化晶圆；以及

在处理该所选择的蚀刻的图案化晶圆的同时，获得第二IE传感器数据，其中第二IE传感器被耦接到所述第二IEC处理室并且被配置为获得所述第二IE传感器数据。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括：

确定所述第一IE相关处理工序是否包括第二IEC蚀刻工序；

当所述第一IE相关处理工序包括所述第二IEC蚀刻工序时，执行所述第二IEC蚀刻工序，其中当使用所述第一组图案化晶圆执行所述第一IEC蚀刻工序和所述第二IEC蚀刻工序时，形成第三组图案化晶圆；以及

当所述第一IE相关处理工序不包括所述第二IEC蚀刻工序时，执行确认制程。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

确定所述第二IEC蚀刻工序是否包括新第一离子能量优化IEO蚀刻制程；

当所述第二IEC蚀刻工序包括所述新第一IEO蚀刻制程时，执行所述新第一IEO蚀刻制程，其中所述新第一IEO蚀刻制程使用新第一蚀刻子系统，所述新第一蚀刻子系统具有配置于其中的新第一IEC处理室和耦接至其的新第一MIMO控制器；以及

当所述第二IEC蚀刻工序不包括所述新第一IEO蚀刻制程时，执行新第一确认制程。