[发明专利]绝缘缺陷的检测无效
申请号: | 201280026526.6 | 申请日: | 2012-06-01 |
公开(公告)号: | CN103608689A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 达尼埃尔·沙特鲁;塞巴斯蒂安·喀考特;朱利安·德西 | 申请(专利权)人: | 原子能和替代能源委员会 |
主分类号: | G01R31/02 | 分类号: | G01R31/02;B60L3/00;G01R27/18 |
代理公司: | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 王庆艳;刘继富 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 绝缘 缺陷 检测 | ||
1.一种电力供应装置,其包括:
-易于引起触电(2)的直流电压电源;
-用于检测所述直流电压电源的绝缘缺陷的装置(4),其包括:
-连接到所述电压电源的端子的第一输入端子和第二输入端子(47、48);
-第一电路(41),其连接在所述第一输入端子(47)和中间点(49)之间;
-第二电路(42),其连接在所述第二输入端子(48)和所述中间点之间;
-绝缘缺陷电流检测电路(45),其连接在电接地和所述中间点(49)之间;
其特征在于,所述第一电路和第二电路为限流器,其被配置成选择性地断开和接通其相应输入端子和所述中间点之间的连接,所述限流器电路中的每一个都是额定的,以便在接通所述第一或第二限流器电路且直流电压电源的端子之一短路到电接地时,小于标准安全阈值的电流穿过所述限流器电路;
而且,其特征在于,所述用于检测所述直流电压电源的绝缘缺陷的装置包括控制电路(8),其被配置成同时地保持所述限流器电路中的一个断开而所述限流器电路中的另一个接通。
2.根据权利要求1所述的电力供应装置,其中所述限流器电路中的每一个都包括由所述控制电路(8)控制的光耦合器(43),以便选择性地断开和接通其相应限流器电路中的连接。
3.根据权利要求1或2所述的电力供应装置,包括:第一电容器(C1),其在所述第一输入端子和电接地(93)之间与所述第一限流器电路并联连接;第二电容器(C2),其在所述第二输入端子和所述电接地之间与所述第二限流器电路并联连接,所述控制电路(8)被配置成在接通所述限流器电路中的一个的连接时检测所述电容器中的一个的放电。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的电力供应装置,其中所述控制电路(8)以在10秒和30秒之间的时间间隔以重复方式接通所述限流器电路中的每一个。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的电力供应装置,其中所述控制电路(8)保持以小于2%的占空比接通所述限流电路(41、42)。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的电力供应装置,其中所述电流检测电路(45)包括微控制器(453),所述微控制器(453)包括接收源于所述中间点(49)的绝缘缺陷电流的输入端子(491),所述输入端子借助第一电阻器(456)连接到电力供应器,而且所述输入端子借助第二电阻器(457)电接地(93),所述电力供应器处于所述直流电压电源的电压电平的十分之一或更小的电压电平,所述微控制器(453)被配置成根据施加到其输入端子的电压来确定所述绝缘缺陷的幅度。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的电力供应装置,其中每一限流器电路包括:
-第一晶体管,其包括连接到所述检测装置的相应输入端子的输入电极,输出电极和控制电极;
-第一电阻器(R1),其连接在所述输入电极和所述控制电极之间;
-第二电阻器(R2),其连接在所述输出电极和所述中间点(49)之间;
-用于限制所述控制电极上的电压电平的元件。
8.根据权利要求7所述的电力供应装置,其中所述第一晶体管为MOSFET晶体管(TC11)。
9.根据权利要求7或8所述的电力供应装置,其中用于限制所述电压电平的所述元件为连接在所述第一晶体管的控制电极和所述中间点之间的齐纳二极管。
10.根据权利要求7或8所述的电力供应装置,其中用于限制所述电压电平的所述元件为双极型晶体管,其基极连接到所述第一晶体管的所述输出电极,其发射极连接到所述中间点,且其集电极连接到所述第一晶体管的所述控制电极。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的电力供应装置,其中所述限流器电路中的每一个限流器电路都是额定的,以便在接通所述第一或第二限流器电路且将所述直流电压电源的端子之一短路到电接地时,小于3.5mA的电流穿过所述限流器电路。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的电力供应装置,其中所述限流器电路中的每一个限流器电路都是额定的,以便在所述控制电路将接通命令施加到所述限流器电路时,在所述直流电压电源的端子之一和电接地之间的短路引起的电流穿过所述限流器电路时所述限流器电路仍保持接通。
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