[发明专利]用于自发式材料剥落的低温方法

权利要求书

1.一种用于从基体衬底的表面分离材料层的方法，所述方法包括：

在第一温度下在基体衬底的表面上设置应力源层，所述第一温度为室温；

使包括所述应力源层的所述基体衬底处于低于室温的第二温度；

在所述第二温度下剥落所述基体衬底以形成剥落的材料层；以及

将所述剥落的材料层恢复到室温。

2.权利要求1所述的方法，其中，所述基体衬底的断裂韧度小于所述应力源层的断裂韧度。

3.权利要求2所述的方法，其中，所述基体衬底包括半导体材料、玻璃或陶瓷。

4.权利要求3所述的方法，其中，所述基体衬底是半导体衬底，并且所述半导体衬底是单晶体。

5.权利要求1所述的方法，还包括在所述应力源层与所述基体衬底之间形成含金属的粘着层。

6.权利要求1所述的方法，其中，所述应力源层是金属、聚合物、剥落诱导带层或它们的任何组合。

7.权利要求1所述的方法，其中，所述应力源层是金属，并且所述金属包括Ni、Cr、Fe或W。

8.权利要求1所述的方法，其中，所述应力源层是剥落诱导带层，并且所述剥落诱导带层是压力敏感带，该压力敏感带在所述第一温度下是柔性的并且无应力的，而在所述第二温度下是可延展的并且有张力的。

9.权利要求8所述的方法，其中，所述压力敏感带至少包括粘着层和基体层。

10.权利要求1所述的方法，其中，所述应力源层包括二部分应力源层，该二部分应力源层包括下部和上部，所述上部包括剥落诱导带层。

11.权利要求1所述的方法，还包括在所述应力源层的顶上并且在所述第一温度下形成支撑衬底。

12.权利要求1所述的方法，其中，所述第二温度为77K或更低。

13.一种用于从基体衬底的表面分离材料层的方法，所述方法包括：

在第一温度下在基体衬底的表面上设置应力源层，所述第一温度为室温；

使包括所述应力源层的所述基体衬底处于低于206K的第二温度；

在所述第二温度下剥落所述基体衬底以形成剥落的材料层；以及

将所述剥落的材料层恢复到室温。

14.权利要求13所述的方法，还包括在所述应力源层与所述基体衬底之间形成含金属的粘着层。

15.权利要求13所述的方法，其中，所述应力源层是金属，并且所述金属包括Ni、Cr、Fe或W。

16.权利要求13所述的方法，其中，所述应力源层是剥落诱导带层，并且所述剥落诱导带层是压力敏感带，该压力敏感带在所述第一温度下是柔性的并且无应力的，而在所述第二温度下是可延展的并且有张力的。

17.权利要求13所述的方法，还包括在所述应力源层的顶上并且在所述第一温度下形成支撑衬底。

18.权利要求13所述的方法，其中，所述应力源层包括二部分应力源层，该二部分应力源层包括下部和上部，所述上部包括剥落诱导带层。

19.一种用于从基体衬底的表面分离材料层的方法，所述方法包括：

在从15℃到60℃的第一温度下在基体衬底的表面上设置剥落诱导带层；

使包括所述剥落诱导带层的所述基体衬底处于低于室温的第二温度；

在所述第二温度下剥落所述基体衬底以形成剥落的材料层；以及

将所述剥落的材料层恢复到室温。

20.权利要求19所述的方法，其中，所述剥落诱导带层是压力敏感带，该压力敏感带在所述第一温度下是柔性的并且无应力的，而在所述第二温度下是可延展的并且有张力的。

21.权利要求20所述的方法，其中，所述压力敏感带至少包括粘着层和基体层。

22.权利要求19所述的方法，还包括在所述剥落诱导带层的顶上并且在所述第一温度下形成支撑衬底。

23.权利要求19所述的方法，其中，所述剥落诱导带层包括二部分应力源层的上部。

24.权利要求19所述的方法，其中，所述第二温度为77K或更低。

25.权利要求19所述的方法，其中，所述第二温度低于206K。