[发明专利]将发光器件附着到支撑衬底的方法

权利要求书

1.一种将发光器件附着到支撑衬底的方法，包括：

提供半导体发光器件的晶片，每个半导体发光器件包括夹在n型区域和p型区域之间的发光层，以及n接触和p接触，其中n型区域和n接触从器件的边缘缩回一距离；

在相邻器件之间布置聚合物层；

提供支撑衬底的晶片，每个支撑衬底包括本体；

通过与半导体发光器件的晶片接触的平面接合层将半导体发光器件的晶片接合到支撑衬底的晶片；以及

在将半导体发光器件的晶片接合到支撑衬底的晶片之后，形成延伸穿过每个支撑衬底的本体的整个厚度并且穿过所述平面接合层的整个厚度的通路，使得露出接合到接合层的半导体发光器件的晶片的部分。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述平面接合层包括形成在半导体发光器件的晶片上的聚合物层。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述平面接合层包括形成在半导体发光器件的晶片上的有机粘合剂。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述平面接合层包括形成在半导体发光器件的晶片上的第一电介质接合层以及形成在支撑衬底的晶片上的第二电介质接合层。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述第一和第二电介质接合层包括硅氧化物。

6.如权利要求1所述的方法，其中每个支撑衬底本体包括Si、GaAs和Ge其中之一。

7.如权利要求1所述的方法，其中形成延伸穿过每个支撑衬底的本体的整个厚度并且穿过所述平面接合层的整个厚度的通路包括穿过每个支撑衬底的本体的整个厚度并且穿过所述平面接合层的整个厚度蚀刻通路以露出至少一个金属区域。

8.如权利要求7所述的方法，其中金属区域是形成在半导体发光器件的晶片上的金属接触，并且连接到n型区域和p型区域其中之一。

9.如权利要求1所述的方法，还包括在将半导体发光器件的晶片接合到支撑衬底的晶片之后，将半导体发光器件的晶片划片成单个的发光器件芯片。

10.如权利要求9所述的方法，还包括在对半导体发光器件的晶片划片之前，从半导体发光器件的晶片去除生长衬底。

11.如权利要求10所述的方法，还包括使通过去除生长衬底露出的半导体发光器件的晶片的表面粗糙化，其中粗糙化是在对半导体发光器件的晶片划片之前发生。

12.如权利要求9所述的方法，还包括在对半导体发光器件的晶片划片之前，在半导体发光器件的晶片上布置波长转换层。

13.根据权利要求1所述的方法，其中提供半导体发光器件的晶片还包括，对于每个半导体发光器件，

在n型区域的边缘周围沉积反射电介质材料。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述接合包括在100℃和250℃之间的温度下进行接合。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述接合包括施加小于5MPa的压缩压力。