[发明专利]对铜、钨和多孔低κ电介质具有增强的相容性的半水性聚合物移除组合物

权利要求书

1.一种用于从微电子设备移除蚀刻处理后聚合物膜的移除组合物，所述组合物包含：

(a)5％至49％重量的水；

(b)2％至20％重量的乙二醇；

(c)30％至70％重量的一种或多种二醇醚溶剂；

(d)0.5％至20％重量的吗啉代丙胺；

(e)0.1％至0.5％重量的腐蚀抑制剂化合物，其选自甲基苯并三唑和甲苯基三唑；

且任选地包含一种或多种以下组分：

(f)一种或多种金属离子螯合剂，当存在于所述组合物中时，量为0.01％至1％重量；

(g)一种或多种其他极性有机溶剂，当存在于所述组合物中时，量为0.5％至40％重量；

(h)一种或多种叔胺，当存在于所述组合物中时，量为2％至12％重量；

(i)一种或多种儿茶酚或烷基儿茶酚，当存在于所述组合物中时，量为0.01％至10％重量；以及

(j)一种或多种表面活性剂，当存在于所述组合物中时，量为0.01％至1％重量。

2.根据权利要求1所述的移除组合物，其中，所述组合物含有5-甲基苯并三唑和3-吗啉代丙胺以及乙二醇丁基醚。

3.根据权利要求1所述的移除组合物，其中，所述组合物含有叔胺，并且所述叔胺是三乙醇胺。

4.根据权利要求2所述的移除组合物，其中，所述组合物含有叔胺，并且所述叔胺是三乙醇胺。

5.根据权利要求3所述的移除组合物，其中，所述组合物含有金属离子螯合剂，并且所述金属离子螯合剂是反式-1,2-环己二胺四乙酸。

6.根据权利要求4所述的移除组合物，其中，所述组合物含有金属离子螯合剂，并且所述金属离子螯合剂是反式-1,2-环己二胺四乙酸。

7.根据权利要求5所述的移除组合物，其中，所述组合物含有另一极性有机溶剂，并且所述另一极性有机溶剂是N-甲基吡咯烷酮。

8.根据权利要求6所述的移除组合物，其中，所述组合物含有另一极性有机溶剂，并且所述另一极性有机溶剂是N-甲基吡咯烷酮。

9.根据权利要求1所述的移除组合物，其中，所述组合物含有儿茶酚或者烷基儿茶酚。

10.根据权利要求9所述的移除组合物，其中，所述组合物含有4-叔丁基儿茶酚。

11.根据权利要求1所述的移除组合物，其包含20.9％水、20％N-甲基吡咯烷酮、46.5％乙二醇丁基醚、5％乙二醇、6％三乙醇胺、1.5％吗啉代丙胺、以及0.1％甲基苯并三唑。

12.根据权利要求1所述的移除组合物，其包含20.75％水、20％N-甲基吡咯烷酮、46.5％乙二醇丁基醚、5％乙二醇、6％三乙醇胺、1.5％吗啉代丙胺、0.1％反式-1,2-环己二胺四乙酸、0.05％具有正十二烷基的双极性吡咯烷酮环表面活性剂、以及0.1％甲基苯并三唑。

13.根据权利要求1所述的移除组合物，其包含19.95％水、60.7％乙二醇丁基醚、10％乙二醇、9％吗啉代丙胺、0.1％反式-1,2-环己二胺四乙酸、

0.05％具有正十二烷基的双极性吡咯烷酮环表面活性剂、以及0.2％甲基苯并三唑。

14.根据权利要求1所述的移除组合物，其包含20.0％水、19.2％N-甲基吡咯烷酮、44.7％乙二醇丁基醚、4.8％乙二醇、1.4％吗啉代丙胺、0.1％甲基苯并三唑、以及4％的选自儿茶酚和烷基儿茶酚的铝腐蚀抑制剂。

15.一种用于从微电子设备移除蚀刻处理后聚合物膜的方法，所述方法包括：以有效从所述微电子设备移除所述蚀刻处理后聚合物膜的时间和温度，采用如权利要求1所述的组合物接触所述微电子设备。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述微电子设备具有低κ电介质。

17.一种用于从微电子设备移除蚀刻处理后聚合物膜的方法，所述方法包括：以有效从所述微电子设备移除所述蚀刻处理后聚合物膜的时间和温度，采用如权利要求2所述的组合物接触所述微电子设备。