[发明专利]太阳能电池的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及太阳能电池的制造方法。本发明特别涉及具备结晶硅基板的太阳能电池的制造方法，该结晶硅基板具有形成有纹理结构的主面。

背景技术

近年来，作为环境负担小的能源，对于太阳能电池的关注逐渐升高。

例如，在专利文献1、2中记载了使用结晶硅基板的结晶硅太阳能电池。在专利文献1、2中记载的结晶硅太阳能电池中，为了提高光对结晶硅基板的入射效率，记载了在结晶硅基板的表面形成称为纹理（texture）结构的凹凸结构的技术。

在专利文献2中，作为在硅单晶基板形成纹理结构的方法，记载了如下所述的方法。首先，进行将硅单晶基板浸渍在约85℃的约5质量％的氢氧化钠水溶液中10分钟的第一工序。通过该第一工序，硅单晶基板的表层的加工变形被除去。接着，使用含有比第一工序浓度低的约2质量％的氢氧化钠和异丙醇的水溶液，对硅单晶基板的表面进行各向异性蚀刻的第二工序。通过该第二工序，在硅单晶基板的表面形成金字塔形状的纹理结构。即，在专利文献2中记载了通过在使用蚀刻剂的浓度相对较高的蚀刻液进行各向同性蚀刻之后，使用蚀刻剂的浓度相对较低的蚀刻液进行各向异性蚀刻，从而形成纹理结构。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11－220146号公报

专利文献2：WO98／43304号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

利用专利文献2所记载的纹理结构的形成方法，不能在短时间内形成形状精度高的纹理结构。因此，存在制造太阳能电池所需要的时间长的问题。

本发明是鉴于该问题而完成的，其目的在于缩短制造太阳能电池所需要的时间。

用于解决技术问题的手段

本发明的太阳能电池的制造方法，涉及具备结晶硅基板的太阳能电池的制造方法，该结晶硅基板具有形成有纹理结构的主面。在本发明的太阳能电池的制造方法中，使用蚀刻液对结晶硅基板的主面进行蚀刻，之后，使用蚀刻成分的浓度高于上述蚀刻液的其他蚀刻液，以比通过之前使用的蚀刻液进行的蚀刻低的蚀刻速度，进行结晶硅基板的主面的蚀刻，从而在结晶硅基板的主面形成纹理结构。

发明效果

根据本发明，能够缩短制造太阳能电池所需要的时间。

附图说明

图1是第一实施方式中制造的太阳能电池的剖面图。

图2是蚀刻前的结晶硅基板的一部分的剖面图。

图3是第二蚀刻工序后的结晶硅基板的一部分的剖面图。

图4是第三蚀刻工序后的结晶硅基板的一部分的剖面图。

图5是实验例1中制作的单晶硅基板的主面的电子显微镜照片。

图6是实验例2中制作的单晶硅基板的主面的电子显微镜照片。

图7是比较例中制作的单晶硅基板的主面的电子显微镜照片。

具体实施方式

下面，对实施本发明的优选方式的一例进行说明。但下述实施方式仅仅是例示。本发明不受下述实施方式任何限定。

并且，在实施方式等中参照的各个附图中，实质上具有相同功能的部件以相同的符号标记。并且，实施方式等中参照的附图是示意性地记载的图，有时附图中所绘的物体的尺寸比例等与现实的物体的尺寸比例等有所不同。有时在附图彼此之间，物体的尺寸比例等也有所不同。具体的物体的尺寸比例等应参照以下的说明予以判断。

（第一实施方式）

（太阳能电池1的结构）

图1是第一实施方式中制造的太阳能电池的剖面图。首先，参照图1对本实施方式中制造的太阳能电池的结构进行说明。

太阳能电池1具备结晶硅基板10。结晶硅基板10例如由单晶硅基板或多晶硅基板构成。

其中，在本实施方式中，对于结晶硅基板10的导电类型为n型的例子进行说明。但本发明不限定于此。结晶硅基板10的导电类型也可以为p型。

在结晶硅基板10的第一主面10a上，配置有与结晶硅基板10的导电类型不同的p型半导体层11。p型半导体层11例如可以由p型非晶硅层构成。优选p型半导体层11含有氢。p型半导体层11的厚度例如可以为3nm～20nm左右，优选为5nm～15nm左右。其中，非晶硅是非单晶硅类半导体材料，也包括微晶硅。