[发明专利]在非晶形碳膜层上固定防水防油层的方法及由所述方法形成的层叠体有效

专利信息
申请号: 201280027270.0 申请日: 2012-06-06
公开(公告)号: CN103635313A 公开(公告)日: 2014-03-12
发明(设计)人: 木津克夫;涩泽邦彦;佐藤刚 申请(专利权)人: 太阳化学工业株式会社
主分类号: B32B9/00 分类号: B32B9/00;C23C16/34;C23C16/56
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 李新红
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 晶形 碳膜层上 固定 防水 油层 方法 形成 层叠
【权利要求书】:

1.一种方法,所述方法包括下述步骤:

制备基材;

直接或间接在所述基材上设置非晶形碳膜层,所述非晶形碳膜层至少在其表面中包含硅和氮;以及

通过偶联剂在所述非晶形碳膜层上设置防水防油层,所述偶联剂能与所述非晶形碳膜层形成基于极性的氢键和/或通过与所述非晶形碳膜层的官能团的缩合反应形成-O-M键(M是选自由Si、Ti、Al和Zr组成的组中的任一种元素)。

2.权利要求1所述的方法,其中所述偶联剂是硅烷偶联剂。

3.权利要求1或2所述的方法,所述方法还包括在所述非晶形碳膜层上使用氮进行等离子体处理的步骤。

4.一种方法,所述方法包括下述步骤:

制备基材;

直接或间接在所述基材上设置非晶形碳膜层,所述非晶形碳膜层至少在其表面中包含硅和氮;以及

在所述非晶形碳膜层上设置包含氟-系偶联剂的防水防油层,所述氟-系偶联剂能与所述非晶形碳膜层形成基于极性的氢键和/或通过与所述非晶形碳膜层的官能团的缩合反应形成-O-M键(M是选自由Si、Ti、Al和Zr组成的组中的任一种元素)。

5.根据权利要求3所述的方法,其中所述氟-系偶联剂是含氟的硅烷偶联剂。

6.权利要求4或5所述的方法,所述方法还包括在所述非晶形碳膜层上使用氮进行等离子体处理的步骤。

7.权利要求1至4中任一项所述的方法,其中所述非晶形碳膜层包括两层以上的层,其中最上面的层至少在其表面中包含硅和氮。

8.一种层叠体,所述层叠体包括:

基材;

包含硅和氮并且直接或间接设置在所述基材的至少一个表面上的非晶形碳膜层;和

通过偶联剂设置在所述非晶形碳膜层上的防水防油层,所述偶联剂能与所述非晶形碳膜层形成基于极性的氢键和/或通过与所述非晶形碳膜层的官能团的缩合反应形成-O-M键(M是选自由Si、Ti、Al和Zr组成的组中的任一种元素)。

9.权利要求8所述的层叠体,其中所述偶联剂是硅烷偶联剂。

10.一种层叠体,所述层叠体包括:

基材;

包含硅和氮并且直接或间接设置在所述基材的至少一个表面上的非晶形碳膜层;和

设置在所述非晶形碳膜层上并且包含氟-系偶联剂的防水防油层,所述氟-系偶联剂能与所述非晶形碳膜层形成基于极性的氢键和/或通过与所述非晶形碳膜层的官能团的缩合反应形成-O-M键(M是选自由Si、Ti、Al和Zr组成的组中的任一种元素)。

11.权利要求10所述的层叠体,其中所述偶联剂是含氟的硅烷偶联剂。

12.权利要求10所述的层叠体,其中所述非晶形碳膜层包括两层以上的层,其中至少最上面的层至少在其表面中包含硅和氮。

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