[发明专利]SiC单晶体的制造装置以及SiC单晶体的制造方法

权利要求书

1.一种制造装置，其是SiC单晶体的制造装置，

该制造装置包括：

坩埚，其用于容纳Si－C溶液；以及

籽晶轴，其具有供SiC晶种安装的下端面，

上述籽晶轴包括：

内管，其在自身内侧形成第1流路；

外管，其容纳上述内管，在该外管与上述内管之间形成第2流路；以及

底部，其覆盖上述外管的下端开口且具有上述下端面，

上述第1流路以及上述第2流路中的一者是供冷却气体向下方流动的导入流路，另一者是供上述冷却气体向上方流动的排出流路，

从上述籽晶轴的轴向观察，上述SiC晶种的60%以上的区域与形成上述导入流路的管的内侧区域重叠。

2.根据权利要求1所记载的制造装置，其中，

上述内管具有绝热性。

3.根据权利要求1或2所记载的制造装置，其中，

上述内管的下端以与上述底部分离的方式配置。

4.一种SiC单晶体的制造方法，其包括以下工序：

准备上述制造装置的工序，其中，该制造装置是包括用于容纳Si－C溶液的原料的坩埚和具有用于配置SiC晶种的下端面的籽晶轴的SiC单晶体的制造装置，上述籽晶轴包括在上述坩埚的高度方向上延伸且在自身内侧形成第1流路的内管、容纳上述内管且与上述内管之间形成第2流路的外管、以及覆盖上述外管的下端开口且具有上述下端面的底部，上述第1流路以及上述第2流路中的一者是供冷却气体向下方流动的导入流路，另一者是供上述冷却气体向上方流动的排出流路；

从上述籽晶轴的轴向观察，以上述SiC晶种的60%以上的区域与形成上述导入流路的管的内侧区域重叠的方式将上述SiC晶种安装于上述下端面的工序；

对上述坩埚进行加热而生成Si－C溶液的工序；

将上述SiC晶种浸渍于上述Si－C溶液的工序；以及

一边使上述冷却气体在上述籽晶轴内流动，一边在上述SiC晶种上培养SiC单晶体的工序。