[发明专利]肼配位Cu硫属化物络合物及其制造方法、光吸收层形成用涂布液、以及光吸收层形成用涂布液的制造方法

权利要求书

1.一种肼配位Cu硫属化物络合物，其是通过在肼的存在下使Cu或Cu₂Se与硫属元素在不含胺系溶剂的二甲基亚砜中反应、并在所得到的溶液中加入不良溶剂或对所得到的溶液进行浓缩和过滤而得到的。

2.根据权利要求1所述的肼配位Cu硫属化物络合物，其中，所述不良溶剂为醇系溶剂。

3.根据权利要求1或2所述的肼配位Cu硫属化物络合物，其中，所述硫属元素为硫或硒。

4.一种肼配位Cu硫属化物络合物的制造方法，其包括：在肼的存在下使Cu或Cu₂Se与硫属元素在不含胺系溶剂的二甲基亚砜中溶解的工序；和在所得到的溶液中加入不良溶剂或对所得到的溶液进行浓缩和过滤的工序。

5.根据权利要求4所述的肼配位Cu硫属化物络合物的制造方法，其中，所述不良溶剂为醇系溶剂。

6.根据权利要求4或5所述的肼配位Cu硫属化物络合物的制造方法，其中，所述硫属元素为硫或硒。

7.一种光吸收层形成用涂布液，其特征在于，其是用于形成黄铜矿系太阳能电池的光吸收层的涂布液，

该涂布液是使权利要求1～3中任一项所述的肼配位Cu硫属化物络合物、肼配位In硫属化物络合物和肼配位Ga硫属化物络合物溶解于二甲基亚砜而成的。

8.根据权利要求7所述的光吸收层形成用涂布液，其中，所述光吸收层形成用涂布液不含胺系溶剂。

9.根据权利要求7或8所述的光吸收层形成用涂布液，其中，所述肼配位In硫属化物络合物是通过在肼中添加In或In₂Se₃与硫属元素而得到第1粗产物、之后用二甲基亚砜萃取该第1粗产物并在所得到的溶液中加入不良溶剂而得到的。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的光吸收层形成用涂布液，其中，所述肼配位Ga硫属化物络合物是通过在肼中添加Ga和硫属元素而得到粗产物、之后用二甲基亚砜萃取该粗产物并在所得到的溶液中加入不良溶剂而得到的。

11.根据权利要求7～10中任一项所述的光吸收层形成用涂布液，其中，所述不良溶剂为醇系溶剂。

12.根据权利要求7～11中任一项所述的光吸收层形成用涂布液，其中，所述硫属元素为硫或硒。

13.一种光吸收层形成用涂布液的制造方法，其特征在于，其是用于形成黄铜矿系太阳能电池的光吸收层的涂布液的制造方法，该制造方法使权利要求1～3中任一项所述的肼配位Cu硫属化物络合物、肼配位In硫属化物络合物和肼配位Ga硫属化物络合物溶解于二甲基亚砜。

14.根据权利要求13所述的光吸收层形成用涂布液的制造方法，其具有：

准备由溶解有权利要求1～3中任一项所述的肼配位Cu硫属化物络合物的二甲基亚砜形成的第1溶液的工序；

使肼配位In硫属化物络合物溶解于二甲基亚砜来制备第2溶液的工序；

使肼配位Ga硫属化物络合物溶解于二甲基亚砜来制备第3溶液的工序；以及

将所述第1溶液、所述第2溶液和所述第3溶液混合的工序。

15.根据权利要求13所述的光吸收层形成用涂布液的制造方法，其具有：

准备由溶解有权利要求1～3中任一项所述的肼配位Cu硫属化物络合物的二甲基亚砜形成的溶液(I’)的工序；

使肼配位In硫属化物络合物和肼配位Ga硫属化物络合物溶解于二甲基亚砜来制备溶液(II’)的工序；以及

将所述溶液(I’)和所述溶液(II’)混合的工序。

16.根据权利要求13～15中任一项所述的光吸收层形成用涂布液的制造方法，其通过在肼中添加In或In₂Se₃与硫属元素而得到粗产物、之后用二甲基亚砜萃取该粗产物并在所得到的溶液中加入不良溶剂，从而得到所述肼配位In硫属化物络合物。

17.根据权利要求13～16中任一项所述的光吸收层形成用涂布液的制造方法，其通过在肼中添加Ga和硫属元素而得到粗产物、之后用二甲基亚砜萃取该粗产物并在所得到的溶液中加入不良溶剂，从而得到所述肼配位Ga硫属化物络合物。