[发明专利]LED器件无效
申请号: | 201280028211.5 | 申请日: | 2012-04-09 |
公开(公告)号: | CN103597616A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 石谷清;芳原启喜;稻叶春树 | 申请(专利权)人: | 日本COLMO股份有限公司;松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | led 器件 | ||
1.一种元件密封型LED器件,所述元件密封型LED器件包含:LED元件,该LED元件安装于支承体,并与所述支承体进行电连接;以及密封材料,该密封材料对所述LED元件进行密封,其特征在于,所述密封材料是包含金属氧化物的透明非晶质固体,所述非晶质固体包含从由Al2O3、MgO、ZrO、La2O3、CeO、Y2O3、Eu2O3及ScO所组成的组中选出的至少一种金属氧化物作为主要结构要素。
2.如权利要求1所述的元件密封型LED器件,其特征在于,所述非晶质固体的主要成分为ZrO。
3.如权利要求1或2所述的元件密封型LED器件,其特征在于,所述非晶质固体还包含SiO2作为结构要素。
4.如权利要求1至3的任一项所述的元件密封型LED器件,其特征在于,所述密封材料直接覆盖于所述LED元件表面而对其进行密封。
5.如权利要求1至4的任一项所述的元件密封型LED器件,其特征在于,所述密封材料进一步对预先密封有所述LED元件的其它密封材料进行密封,从而对所述LED元件进行间接密封。
6.如权利要求1至5的任一项所述的元件密封型LED器件,其特征在于,所述密封材料含有分散于所述密封材料中的无机荧光体粒子。
7.如权利要求1至5的任一项所述的元件密封型LED器件,其特征在于,所述密封材料包含接近所述LED元件一侧的层、和远离所述LED元件一侧的层这两个层,所述两个层中的至少一个层含有被分散的无机荧光体粒子。
8.如权利要求6或7项所述的元件密封型LED器件,其特征在于,所述无机荧光体粒子包含硫化物类荧光体粒子及硅酸盐类荧光体粒子中的至少一种。
9.如权利要求1至8的任一项所述的元件密封型LED器件,其特征在于,所述LED元件是氮化镓类LED元件。
10.一种LED器件的制造方法,所述LED器件具有用包含金属氧化物的透明非晶质固体来对LED元件进行密封的形态,所述LED器件的制造方法的特征在于,准备安装于支承体并与所述支承体进行电连接的LED元件,对所述元件使用包含金属醇盐的溶液,从而使所述溶液对所述LED元件及其邻接区域进行覆盖,将所述溶液进行热处理以形成包含金属氧化物的透明非晶质固体,在所述LED器件的制造方法中,所述非晶质固体包含从由Al2O3、MgO、ZrO、La2O3、CeO、Y2O3、Eu2O3及ScO所组成的组中选出的至少一种金属氧化物作为主要结构要素。
11.如权利要求10所述的LED器件的制造方法,其特征在于,所述金属醇盐用M(OR1)n[式中,M表示从由Al、Mg、Zr、La、Ce、Y、Eu及Sc所组成的组中选出的金属原子,n表示所述M的价数,R1表示碳数1~6的烷基]表示。
12.如权利要求11所述的LED器件的制造方法,其特征在于,M是Zr。
13.如权利要求10至12的任一项所述的LED器件的制造方法,其特征在于,所述包含金属醇盐的溶液包含有机溶剂。
14.如权利要求10至13的任一项所述的LED器件的制造方法,其特征在于,所述包含金属醇盐的溶液包含用Si(OR2)4[式中,R2表示碳数1~5的烷基]来表示的烷氧基硅烷。
15.如权利要求10至14的任一项所述的LED器件的制造方法,其特征在于,所述包含金属醇盐的溶液含有平均粒径小于10nm的二氧化硅粒子。
16.如权利要求10至15的任一项所述的LED器件的制造方法,其特征在于,所述热处理在70~200℃下进行0.25~4小时。
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