[发明专利]超薄功率晶体管和具有定制占位面积的同步降压变换器

权利要求书

1.一种场效应晶体管封装组件，其包括：

引线框；

组装在所述引线框上的场效应晶体管；以及

封装所述组装晶体管的封装材料，以便第一端子、第二端子和第三端子裸露在所述封装组件的一侧，并且所述第一、第二或第三端子也裸露在所述封装组件的相反侧。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述第一端子是源极端，所述第二端子是栅极端，并且所述第三端子是漏极端。

3.一种功率晶体管封装组件，其包括：

引线框，其包括扁平板片和与所述板片隔开的共面扁平条带，所述板片具有第一厚度，并且所述条带具有比所述第一厚度更小的第二厚度，所述板片和条带具有端子；

具有第三厚度的场效应功率晶体管芯片，第一和第二接触焊盘在所述芯片一侧，并且第三接触焊盘在所述芯片相反侧，所述第一焊盘连接到所述板片，所述第二焊盘连接到所述条带，并且所述第三焊盘与所述端子共面；以及

封装化合物，其填充板片与条带之间厚度差异以及芯片与端子之间的间隔，所述化合物具有与所述板片共面的表面，以及与所述第三焊盘和端子共面的相反表面，所述表面之间的距离等于所述第一和第三厚度的总和。

4.根据权利要求3所述的封装组件，其进一步包括连接到所述引线框板片的散热片。

5.根据权利要求3所述的封装组件，其中所述晶体管焊盘与所述引线框板片以及条带的连接包括材料层，所述材料层从包括焊料、导电粘合剂、z轴导体、碳管和石墨烯材料组成的组中选择。

6.根据权利要求5所述的封装组件，其中通过从包括焊料、导电粘合剂、z轴导体、碳管和石墨烯材料组成的组中选择的材料层，所述端子连接到所述板片和条带。

7.根据权利要求3所述的封装组件，其中所述引线框和端子由相同的金属制成。

8.根据权利要求3所述的封装组件，其中所述引线框和端子由不同的金属制成。

9.根据权利要求3所述的封装组件，其进一步包括成型为覆盖所述第三焊盘和端子的沉积金属层。

10.根据权利要求9所述的封装组件，其中所述沉积层的金属从包括锡、铜，铜、镍和锡的连续层，铜、镍和金的连续层以及难熔金属（refractory metal）和铝的连续层组成的组中选择。

11.根据权利要求10所述的封装组件，其中所述沉积金属层以定制的图样模式成型。

12.根据权利要求3所述的封装组件，其中所述封装组件不用金属夹子和线。

13.一种用于制造功率场效应晶体管封装组件的方法，其包括步骤：

提供引线框，所述引线框包括扁平板片和与所述板片隔开的共面扁平条带，所述板片具有第一厚度，并且所述条带具有比所述第一厚度更小的第二厚度；

提供场效应晶体管，所述场效应晶体管具有第三厚度，在所述芯片一侧上的第一和第二接触焊盘，以及在所述芯片相反侧上的第三接触焊盘；

将所述第一焊盘连接到所述板片，以及将所述第二焊盘连接到所述条带；

将端子同时连接到所述板片和条带，以便所述端子与所述第三接触焊盘共面；以及

用封装化合物填充板片与条带之间的厚度差异以及芯片与端子之间的间隔，其中所述封装化合物具有与所述板片共面的表面和与所述第三焊盘和端子共面的相反表面，其中所述芯片、引线框和端子集成到封装组件中，所述封装组件具有等于所述第一和第三厚度总和的厚度。

14.根据权利要求13所述的方法，其中将所述晶体管焊盘与所述引线框板片以及引线框条带连接的步骤包括从包括焊料、导电粘合剂、z轴导体、碳管和石墨烯材料组成的组中选择的材料层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中将所述端子与所述引线框板片以及引线框条带的连接的步骤包括从包括焊料、导电粘合剂、z轴导体、碳管和石墨烯材料组成的组中选择的材料层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述沉积方法包括丝网印刷技术。

17.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括在所述封装组件表面上沉积金属层和成型用于覆盖所述第三焊盘和所述端子的步骤，其中所述封装组件表面具有所述第三焊盘和所述端子。