[发明专利]可变电阻元件及其制造方法

权利要求书

1.一种可变电阻元件，其特征在于，

具有第1电极、第2电极和氧化物半导体，

所述氧化物半导体形成在所述第1电极和所述第2电极之间，所述氧化物半导体具有第1金属氧化物层，其与所述第1电极欧姆接合；第2金属氧化物层，其形成在所述第1金属氧化物层和所述第2电极之间，并与所述第2电极欧姆接合。

2.根据权利要求1所述的可变电阻元件，其特征在于，

所述第1金属氧化物层及所述第2金属氧化物层为N型氧化物半导体，所述第1电极及所述第2电极为Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W中的任意的金属或其的化合物。

3.根据权利要求1所述的可变电阻元件，其特征在于，

所述第1金属氧化物层及所述第2金属氧化物层为P型氧化物半导体，所述第1电极及所述第2电极为Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt、Au中的任意的金属或其化合物。

4.一种可变电阻元件的制造方法，其特征在于，

在基板上形成有由Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W中的任意的金属或其的化合物构成的第1电极，

在所述第1电极上形成有由N型氧化物半导体构成的第1金属氧化物层，所述第1金属氧化物层具有第1电阻率，

在所述第1金属氧化物层上形成有由N型氧化物半导体构成的第2金属氧化物层，所述第2金属氧化物层具有与所述第1电阻率不同的第2电阻率，

在所述第2金属氧化物层上形成有由Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W中的任意的金属或其的化合物构成的第2电极。

5.一种可变电阻元件的制造方法，其特征在于，

在基板上形成有由Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt、Au中的任意的金属或其化合物构成的第1电极，

在所述第1电极上形成有由P型氧化物半导体构成的第1金属氧化物层，所述第1金属氧化物层具有第1电阻率，

在所述第1金属氧化物层上形成有由P型氧化物半导体构成的第2金属氧化物层，所述第2金属氧化物层具有与所述第1电阻率不同的第2电阻率，

在所述第2金属氧化物层上形成有由Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt、Au中的任意的金属或其化合物构成的第2电极。