[发明专利]具有光耦合层的发光装置

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

基板；

p型III-V族半导体层，其与所述基板相邻；

有源层，其与所述p型III-V族半导体层相邻；

n型III-V族半导体层，其与所述有源层相邻；

光耦合结构，其与所述n型III-V族半导体层相邻，所述光耦合结构具有一种或多种III-V族半导体材料；以及

电极，其通过所述光耦合结构的一部分与所述n型半导体层电连通。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中所述光耦合结构的所述一种或多种III-V族半导体材料选自于由n型氮化镓、u型氮化镓、氮化铝镓以及氮化铝构成的组。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中所述n型III-V族半导体层包括n型氮化镓。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中所述p型III-V族半导体层包括p型氮化镓。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中所述光耦合结构包括一个或多个光耦合凸起，各光耦合凸起具有沿着远离所述有源层所取向的轴而递减的宽度。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中所述基板选自于由硅、锗、氧化硅、二氧化硅、氧化钛、二氧化钛、蓝宝石、碳化硅、陶瓷材料以及金属材料构成的组。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中所述光耦合结构具有大于或等于大约100nm的折皱。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中所述光耦合结构具有在大约100纳米与2微米之间的厚度。

9.如权利要求1所述的发光装置，还包括在所述基板与所述p型III-V族半导体层之间的光学反射器。

10.如权利要求1所述的发光装置，其中所述光耦合结构包括与第二层相邻的第一层，所述第一层与所述n型III-V族半导体层相邻。

11.如权利要求10所述的发光装置，其中所述第一层包括选自于由n型氮化镓、u型氮化镓、氮化铝镓以及氮化铝构成的组中的材料。

12.如权利要求10所述的发光装置，其中所述第二层包括选自于由u型氮化镓、氮化铝镓以及氮化铝构成的组中的材料。

13.如权利要求10所述的发光装置，其中所述n型III-V族半导体层包括n型氮化镓，并且所述第一层包括n型氮化镓。

14.如权利要求10所述的发光装置，其中所述第一层包括n型氮化镓，并且所述第二层包括u型氮化镓。

15.如权利要求10所述的发光装置，其中所述第一层包括n型氮化镓，并且所述第二层包括氮化铝镓或氮化铝。

16.如权利要求10所述的发光装置，其中所述第一层包括氮化铝镓，并且所述第二层包括氮化铝。

17.如权利要求10所述的发光装置，其中所述光耦合结构还包括与所述第二层相邻的第三层。

18.如权利要求17所述的发光装置，其中所述第三层包括氮化铝镓或氮化铝。

19.如权利要求1所述的发光装置，其中所述光耦合结构将光从所述n型半导体层耦合到在所述光耦合结构外部的介质。

20.如权利要求1所述的发光装置，其中所述光耦合结构的至多一部分由所述n型III-V族半导体层形成。

21.一种发光装置，包括：

n型半导体材料的第一层以及p型半导体材料的第二层；

有源层，其在所述第一层与所述第二层之间；

光耦合层，其与所述第一层相邻或所述第二层相邻，所述光耦合层包括缓冲材料层，其中所述光耦合层的至多一部分由所述第一层或所述第二层所形成；以及

电极，其通过所述光耦合层的至少一部分与所述第一层或所述第二层电连通。

22.如权利要求21所述的发光装置，其中所述缓冲材料层包括u型氮化镓、氮化铝镓以及氮化铝中的一种或多种。

23.如权利要求21所述的发光装置，其中所述缓冲材料层包括一种或多种含铝的III-V族半导体材料。

24.如权利要求21所述的发光装置，其中所述光耦合层还包括所述n型半导体材料或所述p型半导体材料。