[发明专利]用于集成电路的应力感知设计

说明书

技术领域

本说明书内所揭示的一个或多个实施例涉及集成电路（IC）。更确切地说，一个或多个实施例涉及用于IC的应力感知设计以及在IC内的电路设计的应力感知实施。

背景技术

电路设计不断变大，因此需要更大的集成电路（IC）用于实施。在某些情况下，可以使用单个较大的裸片来实施的电路设计可以使用包括两个或两个以上较小裸片的IC来实施。包括两个或两个以上较小裸片的IC可以被称作“多裸片IC”。多裸片IC通常表征为包括彼此耦合并且放置在单个IC封装内的两个或两个以上的裸片。电路设计通过多个裸片而实施，而不是使用单个较大裸片来实施。

多裸片IC通常包括在其单裸片IC对应物内不存在的物理特性。例如，多裸片IC可以包括硅通孔（TSV）。TSV可以表征为完全延伸通过多裸片IC的裸片的垂直导电通路。每一个TSV可以与裸片的顶部表面上的节点电耦合，TSV与同一裸片的底部表面上的不同节点延伸通过所述裸片。

在多裸片IC内发现的物理特性的另一实例为裸片的物理耦合。多裸片IC的单个裸片通常以某种方式物理耦合到一起。举例来说，裸片可以进行堆叠或接合。

这些以及其他物理特性可以诱导在多裸片IC的一个或多个裸片内的应力。通常比存在于常规的单个裸片IC的裸片内的标准化应力大的应力会对在多裸片IC内实施的有源装置的性能产生不利影响。

发明内容

本说明书内所揭示的一个或多个实施例涉及集成电路（IC），且更确切地说，涉及用于IC的应力感知设计以及IC内的电路设计的应力感知实施。

涉及包括内插器的集成电路的电路设计方法的一个实施例可以包含：鉴别主动资源，所述主动资源在受到一定量应力的内插器区域内的IC内实施，所述一定量的应力超过内插器上的标准化量的应力；以及根据如在IC内所实施的电路设计的应力感知分析，选择性地将要在IC内实施的电路设计的元件分配到主动资源上，其中另一区域的特征为遍及其他区域的大体标准化应力。

在一些实施例中，该方法可以进一步包含针对主动资源使用应力感知时序模型。

在一些实施例中，用于主动资源的应力感知时序模型可以取决于主动资源与应力诱导物之间的距离，超过标准化量应力的一定量的应力至少部分可归因于所述应力诱导物。

在一些实施例中，应力诱导物可以为硅穿孔（TSV），或内插器的裸片附接周界。

在一些实施例中，该方法可以进一步包含确定主动资源是否与应力诱导物相距预定距离进行定位，并且作为响应，根据与应力诱导物的距离来确定主动资源的操作特征。

在一些实施例中，该方法可以进一步包含响应于确定在使用主动资源时电路设计的时序是非临界的，仅使用主动资源来实施电路设计的元件。

在一些实施例中，选择性地分配元件进一步包含选择性地将元件映射到主动资源。

在一些实施例中，选择性地分配元件进一步包含当对电路设计进行路由时，选择性地使用主动资源。

集成电路（IC）的一个实施例可以包含内插器，所述内插器包含应力诱导结构，其中内插器可以包含第一区域，其特征为遍及第一区域的大体标准化应力，以及由应力诱导结构进行诱导的第二区域，其特征为遍及第二区域的高于标准化应力的应力；以及位于第二区域内的有源装置。

在一些实施例中，应力诱导结构可以包含硅穿孔（TSV）。

在一些实施例中，第二区域可以包含TSV并且第一区域可以包含第二区域。

在一些实施例中，IC可以进一步包含安装在内插器的表面上的第一裸片，其中应力诱导结构包含由在内插器上的第一裸片的外边缘界定的裸片附接周界，并且其中内插器包含由裸片附接周界内的内部周界和裸片附接周界外的外部周界所界定的禁入区域。

在一些实施例中，第二区域可以在内部周界内。

在一些实施例中，第二区域可以包含外部周界。

在一些实施例中，第一区域可以位于内部周界内并且被第二区域包含。

在一些实施例中，IC可以进一步包含在内插器的表面上的第一裸片；以及在内插器的表面上的第二裸片，其中第一裸片和第二裸片以预定距离分开，以显露第一裸片与第二裸片之间的内插器的通道，其中应力诱导结构包含由在内插器上的第一裸片以及第二裸片中的每一者的外边缘界定的裸片附接周界，并且其中第二区域包含第一裸片与第二裸片之间的内插器的通道。