[发明专利]具有包括水平件的间隔结构的晶片

权利要求书

1.一种形成隔离间隔结构的方法，包括：

提供基底层；

在所述基底层的上表面之上提供中间层；

在所述中间层中蚀刻第一沟槽；

将第一隔离材料部分沉积到第一沟槽内；

将第二隔离材料部分沉积到所述中间层的上表面之上；

在第二隔离材料部分的上表面之上形成上部层；

在所述上部层中蚀刻第二沟槽；和

将第三隔离材料部分沉积到第二沟槽内和第二隔离材料部分的上表面上。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在形成所述上部层之前在第二隔离材料部分的上表面上形成蚀刻阻止部；和

在沉积第三隔离材料部分之前移除所形成的蚀刻阻止部。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述中间层的上表面之上图案化第二隔离材料部分；和

在所述中间层的上表面之上蚀刻被图案化的第二隔离材料部分，使得第二隔离材料部分的剩余部分保留在所述中间层的上表面正上方。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述上部层中蚀刻第二沟槽包括：

在所述上部层中蚀刻与第一隔离材料部分轴向地对齐的第二沟槽。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述第一隔离材料部分包括第一组材料特性；

所述第三隔离材料部分包括第二组材料特性；和

所述第一组材料特性与所述第二组材料特性不同。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

所述中间层包括第三组材料特性；

所述上部层包括第四组材料特性；和

所述第三组材料特性与所述第四组材料特性不同。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

将第四隔离材料部分沉积到所述上部层的上表面正上方和第三隔离材料部分上；

在第四隔离材料部分的上表面之上形成上部层；

在所述上部层中蚀刻第三沟槽；和

将第五隔离材料部分沉积到第三沟槽内和第四隔离材料部分的上表面上。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述中间层中蚀刻第四沟槽；和

将第六隔离材料部分沉积到第四沟槽内，其中，沉积第二隔离材料部分包括：

将第二隔离材料部分沉积到所述中间层的上表面之上，所述第二隔离材料部分从第一隔离材料部分延伸至第六隔离材料部分。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在沉积第一隔离材料部分之前用第一牺牲层部分衬填第一沟槽；

在沉积第一隔离材料部分之后移除第一牺牲层部分；

在沉积第六隔离材料部分之前用第二牺牲层部分衬填第四沟槽；

在沉积第六隔离材料部分之后移除第二牺牲层部分；

在沉积第二隔离材料部分之前用第三牺牲层部分衬填所述中间层的上表面；和

在沉积第二隔离材料部分之后移除第三牺牲层部分。

10.一种晶片，包括：

基底层；

所述基底层的上表面之上的第一层部分；

所述第一层部分中的第一沟槽；

所述第一沟槽内的第一隔离材料部分；

第二隔离材料部分，其在所述第一层部分的上表面之上水平地延伸并连接至所述第一隔离材料部分；

所述第二隔离材料部分的上表面之上的第二层部分；

所述第二层部分中的第二沟槽；和

所述第二沟槽内的和所述第二隔离材料部分的上表面上的第三隔离材料部分。

11.如权利要求10所述的晶片，其特征在于，所述第二隔离材料部分在第一隔离材料部分的相反侧上相对于第一隔离材料部分向外延伸。

12.如权利要求10所述的晶片，其特征在于，所述第三隔离材料部分与第一隔离材料部分轴向地对齐。

13.如权利要求10所述的晶片，其特征在于：

所述第一隔离材料部分包括第一组材料特性；

所述第三隔离材料部分包括第二组材料特性；和

所述第一组材料特性与所述第二组材料特性不同。