[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置无效

专利信息
申请号: 201280028713.8 申请日: 2012-09-20
公开(公告)号: CN103620746A 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 滨口纯一;小平周司;坂本勇太;佐野昭文;镰田恒吉;门仓好之;广石城司;沼田幸展;铃木康司 申请(专利权)人: 株式会社爱发科
主分类号: H01L21/3205 分类号: H01L21/3205;C23C14/14;C23C14/58;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768;H01L23/532
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人: 康泉;王珍仙
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具备:

槽部形成工序,在基体形成槽部;

阻挡层形成工序,形成至少覆盖所述槽部的内壁面的阻挡层;

种子层形成工序,形成覆盖所述阻挡层的种子层;以及

种子层熔化工序,通过回流法使所述种子层熔化,

所述种子层由Cu构成。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

所述种子层形成工序具有:形成覆盖所述阻挡层的Cu薄膜的工序;以及对所述Cu薄膜进行热处理的工序,

所述热处理在100℃以上400℃以下的温度范围内进行。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

重复进行两次以上所述种子层形成工序及所述种子层熔化工序。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

所述阻挡层由含有Ta、Ti、W、Ru、V、Co和Nb中的至少一种的材料构成。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,

所述基体由半导体基板和在所述半导体基板的一面形成的绝缘层构成。

6.一种半导体装置,其特征在于,

具备:形成在基体的槽部;覆盖所述槽部的内壁面的阻挡层;以及被埋入在所述阻挡层的内侧区域的导电体,

所述导电体是通过回流法使覆盖所述阻挡层的由Cu构成的种子层熔化而形成。

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