[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置无效
申请号: | 201280028713.8 | 申请日: | 2012-09-20 |
公开(公告)号: | CN103620746A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 滨口纯一;小平周司;坂本勇太;佐野昭文;镰田恒吉;门仓好之;广石城司;沼田幸展;铃木康司 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;C23C14/14;C23C14/58;H01L21/28;H01L21/285;H01L21/768;H01L23/532 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,具备:
槽部形成工序,在基体形成槽部;
阻挡层形成工序,形成至少覆盖所述槽部的内壁面的阻挡层;
种子层形成工序,形成覆盖所述阻挡层的种子层;以及
种子层熔化工序,通过回流法使所述种子层熔化,
所述种子层由Cu构成。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
所述种子层形成工序具有:形成覆盖所述阻挡层的Cu薄膜的工序;以及对所述Cu薄膜进行热处理的工序,
所述热处理在100℃以上400℃以下的温度范围内进行。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
重复进行两次以上所述种子层形成工序及所述种子层熔化工序。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
所述阻挡层由含有Ta、Ti、W、Ru、V、Co和Nb中的至少一种的材料构成。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,
所述基体由半导体基板和在所述半导体基板的一面形成的绝缘层构成。
6.一种半导体装置,其特征在于,
具备:形成在基体的槽部;覆盖所述槽部的内壁面的阻挡层;以及被埋入在所述阻挡层的内侧区域的导电体,
所述导电体是通过回流法使覆盖所述阻挡层的由Cu构成的种子层熔化而形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社爱发科,未经株式会社爱发科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280028713.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造