[发明专利]用PECVDSiO2钝化保护(passivation)制造铟镓锌氧化物(IGZO)和氧化锌(ZNO)薄膜晶体管的方法

权利要求书

1.一种形成薄膜晶体管的方法，包括：

沉积有源层于薄膜晶体管中的基板之上；

沉积导电层于所述有源层之上；

图案化所述导电层以形成源极电极及漏极电极，其中暴露出有源层的一部分；以及

以一氧化二氮(N₂O)等离子体或氧气(O₂)等离子体处理来修复所述有源层的所述部分，其中所述有源层包括选自由氧化锌、铟镓锌氧化物(IGZO)及其组合所组成的群组的材料。

2.如权利要求1所述的方法，还包括：

沉积一个或多个保护层(passivation layer)或蚀刻停止层于所述有源层之上。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以一氧化二氮(N₂O)等离子体或氧气(O₂)等离子体处理来修复所述有源层的所述部分的步骤在介于150℃与270℃之间的温度下进行。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述一氧化二氮(N₂O)等离子体或氧气(O₂)等离子体处理在介于0.083W/cm²与1.0W/cm²之间的功率密度下进行。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述一氧化二氮(N₂O)等离子体或氧气(O₂)等离子体处理在介于0.8托耳与2.5托耳之间的压力下进行。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述一氧化二氮(N₂O)等离子体或氧气(O₂)等离子体处理是在基板与电极的间隔距离介于500密耳(mils)与1100密耳之间的情况下进行，所述薄膜晶体管形成于所述基板之上。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述以一氧化二氮(N₂O)等离子体处理来修复所述有源层的所述部分的步骤在介于150℃与270℃之间的温度下进行。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述一氧化二氮(N₂O)等离子体处理在介于0.083W/cm²与1.0W/cm²之间的功率密度下进行。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述一氧化二氮(N₂O)等离子体处理在介于0.8托耳与1.2托耳之间的压力下进行。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述一氧化二氮(N₂O)等离子体处理在基板与电极的间隔距离介于500密耳与800密耳之间的情况下进行，所述薄膜晶体管形成于所述基板之上。

11.一种形成薄膜晶体管的方法，包括：

形成栅极电极于基板之上；

沉积栅极介电层于所述栅极电极及所述基板之上；

沉积铟镓锌氧化物(IGZO)有源层于所述栅极介电层之上；

沉积导电层于所述有源层之上；

移除至少一部分的所述导电层，以形成源极电极及漏极电极，并通过暴露出所述有源层的一部分来形成有源沟道；

以一氧化二氮(N₂O)等离子体或氧气(O₂)等离子体处理来修复所述有源层的所述部分；以及

沉积一个或多个保护层或蚀刻停止层于经过一氧化二氮(N₂O)等离子体或氧气(O₂)等离子体处理的有源层之上。

12.一种形成薄膜晶体管的方法，包括：

形成栅极电极于基板之上；

沉积栅极介电层于所述栅极电极及所述基板之上；

沉积氧化锌有源层于所述栅极介电层之上；

沉积导电层于所述有源层之上；

移除至少一部分的所述导电层，以形成源极电极及漏极电极，并通过暴露出所述有源层的一部分来形成有源沟道；

以一氧化二氮(N₂O)等离子体或氧气(O₂)等离子体来修复所述有源层的所述部分；以及

沉积一个或多个保护层或蚀刻停止层于经过一氧化二氮(N₂O)等离子体或氧气(O₂)等离子体处理的有源层之上。