[发明专利]钎料、钎料膏、陶瓷电路板、陶瓷主电路板及功率半导体模块

权利要求书

1.一种钎料，其特征在于：

是一种至少由合金粉末、Ag粉末及活性金属氢化物粉末混合制成的混合粉末，所述合金粉末由Ag：55～80重量%、In：1～5重量%、余量Cu及不可避免的杂质构成，所述钎料用于粘合陶瓷基板和金属板，

所述混合粉末中所含的Ag相对于Ag和Cu的总量的组成比Ag/（Ag＋Cu）为0.57～0.85，

含有0.5～5.0重量%的、粒子的等效圆平均直径为10～25μm的活性金属氢化物粉末，

所述合金粉末、Ag粉末及活性金属氢化物粉末的粒子的等效圆平均直径的关系为合金粉末≥活性金属氢化物粉末＞Ag粉末，

所述混合粉末中，在依据JIS Z8825-1测量粒度分布时的体积基准的累积分布上，具有10%累计粒径（d10）是3～10μm、50%累计粒径（d50）是10～35μm、90%累计粒径（d90）是30～50μm的粒度分布，并且在频度分布上，峰值在50%累计粒径（d50）和90%累计粒径（d90）之间。

2.根据权利要求1所述的钎料，所述峰值在60%累计粒径（d60）和80%累计粒径（d80）之间。

3.根据权利要求1或2中任意一项所述的钎料，堆积密度为3.6～5.5g/cm³。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的钎料，（d50-d10）/（d90-d10）为0.25～0.65。

5.根据权利要求1～4中任意一项所述的钎料，（d50-d10）/40（%）为0.15～0.65（μm/%）。

6.根据权利要求1～5中任意一项所述的钎料，具有：

由Ag：55～80重量%、In：1～5重量%、氧含量0.1重量%以下、余量Cu及不可避免的杂质构成的、50%累计粒径（d50）为15～40μm的合金粉末；

相对100重量份的所述合金粉末，添加量为5～30重量份的、50%累计粒径（d50）为1～15μm的Ag粉末粒子；以及

0.5～5重量份的、具有10%累计粒径（d10）为5～15μm、50%累计粒径（d50）为10～25μm、90%累计粒径（d90）为25～50μm的粒度分布的活性金属氢化物粉末。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的钎料，所述活性金属氢化物粉末是氢化钛粉末。

8.根据权利要求1～7中任意一项所述的钎料，所述合金粉末中所含的Ag相对于Ag和Cu的总量的比Ag/（Ag＋Cu）是0.6～0.7。

9.根据权利要求1～8中任意一项所述的钎料，所述合金粉末含有0.0001～0.5重量%的Si。

10.根据权利要求1～9中任意一项所述的钎料，所述合金粉末的10%累计粒径（d10）为6～12μm、90%累计粒径（d90）为60μm以下。

11.根据权利要求1～10中任意一项所述的钎料，所述Ag粉末的10%累计粒径（d10）为0.5～3.5μm，90%累计粒径（d90）为8～20μm。

12.一种钎料膏，其为向权利要求1～11中任意一项所述的钎料中添加1～10重量%的粘合剂、2～20重量%的溶剂混炼制成。

13.根据权利要求12所述的钎料膏，将所述钎料膏在陶瓷基板的面上涂布厚度45μm后，在5×10^-3Pa以下的真空中以835℃加热1小时，之后冷却形成的钎料层的表面的表面粗糙度Rmax为25μm以下。

14.一种陶瓷电路板，在陶瓷基板的至少一个面上涂布权利要求13或14中任意一项所述的钎料膏，将金属板放置在所述钎料膏上后，在5×10^-3Pa以下的真空中以835℃加热1小时，之后冷却，以此使陶瓷电路板的所述陶瓷基板和金属板粘合，所述陶瓷电路板的钎料层的空隙率为5%以下。