[发明专利]电导体

权利要求书

1.一种电流动路径，所述电流动路径由位于n型基底材料的表面外部和上部的自由电子电荷形成的电荷载流子组成，并且与位于表面上的外部电子轨道相比，在由接触件施加到外层从而使电流在平行于基底材料的表面并位于基底材料的表面上部流动的电场的影响下，所述电荷载流子自由运动，所述自由电子电荷由所述基底材料内在所述基底材料的所述表面和接近所述表面的高密度的施主缺陷产生。

2.根据权利要求1所述的电流动路径，所述电流动路径的至少一部分由基底材料的主体形成，所述基底材料的主体的至少一部分是掺杂部，所述掺杂部具有表面并且具有位于所述表面处或所述表面下方的植入的原子，所述表面的至少一部分限定了所述电流动路径的低电阻部分，所述电流动路径的至少一部分沿着所述表面的至少一部分延伸，其中，所述基底材料具有低的电子亲和性，并选自：金刚石、石墨烯、石墨烯主导的材料、聚合物、立方氮化硼、氮化铝、氮化镓和β-氧化铝，并且在所述基底材料的所述表面的外部发生横向导电。

3.根据权利要求2所述的电流动路径，所述电流动路径是电路的一部分。

4.根据权利要求2所述的电流动路径，其中，所述基底材料的主体是电子元件的一部分。

5.根据权利要求3所述的电流动路径，其中，所述基底材料的主体是电子元件的一部分，并且所述电路和所述电子元件是电子装置的一部分。

6.根据权利要求4或5所述的电流动路径，其中，所述电子元件的其余部分通过连接器连接到所述电流动路径。

7.根据权利要求2所述的电流动路径，其中，所述电流动路径的所述低电阻部分的电阻率小于2×10^-8Ω-m。

8.根据权利要求7所述的电流动路径，其中，所述电流动路径的所述低电阻部分的电阻率小于5×10^-13Ω-m。

9.根据权利要求2所述的电流动路径，其中，所述植入的原子选自：氧、氢、锂、氮、氟、氯、硫、磷、砷以及它们的组合。

10.根据权利要求2所述的电流动路径，其中，所述植入的原子中的至少一些位于所述基底材料的表面下方到之间的深度。

11.根据权利要求2所述的电流动路径，其中，所述植入的原子的密度在10¹⁷cm^-3到10²³cm^-3之间。

12.一种导体，该导体包括根据权利要求1所述的电流动路径。

13.根据权利要求12所述的导体，其中，所述基底材料具有通过所述基底材料延伸的中空通路，并且所述电流动路径绕着所述中空通路延伸。

14.一种电路，该电路包括根据权利要求12或13所述的导体。

15.一种电子装置，该电子装置包括根据权利要求1或2所述的电流动路径。