[发明专利]用于太阳能光伏系统的增强膜

权利要求书

1.一种用于太阳能模块中的组件，所述组件包括：

透明玻璃基板；和

形成于所述基板上的薄膜光伏增强电池，所述增强电池包括n型层和p型层，所述n型层包含多晶硫化锌(ZnS)并且具有至少3.5eV的带隙能量，并且所述p型层包含多晶碲化锌(ZnTe)；

其中所述增强电池适于通过吸收第一波长范围内的太阳辐射来发电，所述增强电池还适于透射大于所述第一波长范围的第二波长范围内的太阳辐射。

2.根据权利要求1所述的组件，其中所述p型层具有至少2eV的带隙能量。

3.根据权利要求2所述的组件，其中所述p型层具有至少2.2eV的带隙能量。

4.根据权利要求3所述的组件，其中所述p型层具有2.2至2.3eV范围内的带隙能量。

5.根据权利要求1所述的组件，其中在所述n型层中，所述多晶ZnS掺杂有铝(Al)或氯(Cl)，并且在所述p型层中，所述多晶ZnTe掺杂有氮(N)。

6.根据权利要求1所述的组件，其中所述增强电池还包括设置在所述n型层和所述p型层之间的本征层，所述本征层包含多晶ZnTe。

7.根据权利要求6所述的组件，其中所述本征层具有2.2至2.3eV范围内的带隙能量。

8.根据权利要求6所述的组件，其中所述本征层具有小于1000nm或在100至500nm范围内的厚度。

9.根据权利要求1所述的组件，其中所述增强电池为形成于所述基板上的增强电池的阵列中的一者，所述增强电池中的每一者包括包含多晶ZnS的n型层和包含多晶ZnTe的p型层。

10.一种太阳能模块，包括：

根据权利要求9所述的组件；和

光伏一次电池的阵列，所述光伏一次电池的阵列被设置成接收由所述组件透射的太阳辐射，所述一次电池各自适于通过吸收所述第二波长范围内的太阳辐射来发电。

11.根据权利要求10所述的模块，其中所述一次电池的阵列包含单晶硅、多晶硅、和/或多晶碲化镉。

12.一种太阳能模块，包括：

光伏增强电池的阵列，所述光伏增强电池的阵列适于通过吸收第一波长范围内的太阳辐射来发电，所述增强电池还适于透射大于所述第一波长范围的第二波长范围内的太阳辐射；和

光伏一次电池的阵列，所述光伏一次电池的阵列被设置成接收由所述增强电池的阵列透射的太阳辐射，所述一次电池各自适于通过吸收所述第二波长范围内的太阳辐射来发电；

其中所述增强电池包含多晶碲化锌(ZnTe)；并且

其中所述一次电池包含单晶硅、多晶硅、和/或多晶碲化镉。

13.根据权利要求12所述的模块，其中每个增强电池包括p型层，所述p型层包含多晶碲化锌(ZnTe)并且具有至少2eV的带隙能量。

14.根据权利要求13所述的模块，其中每个增强电池的所述p型层具有至少2.2eV的带隙能量。

15.根据权利要求14所述的模块，其中每个增强电池的所述p型层具有2.2至2.3eV范围内的带隙能量。

16.根据权利要求12所述的模块，其中每个增强电池包括包含多晶硫化锌(ZnS)的n型层和包含多晶碲化锌(ZnTe)的p型层。

17.根据权利要求16所述的模块，其中所述n型层具有至少3.5eV的带隙能量，并且所述p型层具有至少2eV的带隙能量。

18.根据权利要求16所述的模块，其中在所述n型层中，所述多晶ZnS掺杂有铝(Al)或氯(Cl)，并且在所述p型层中，所述多晶ZnTe掺杂有氮(N)。

19.根据权利要求16所述的模块，其中每个增强电池还包括设置在所述n型层和所述p型层之间的本征层，所述本征层包含多晶ZnTe。

20.根据权利要求19所述的模块，其中所述本征层具有小于1000nm或在100至500nm范围内的厚度。