[发明专利]一种改变激发发射器的辐射特性的方法无效

专利信息
申请号: 201280029174.X 申请日: 2012-04-13
公开(公告)号: CN103649727A 公开(公告)日: 2014-03-19
发明(设计)人: K.埃尔萨亚德;K.海因策;A.乌里克 申请(专利权)人: 勃林格殷格翰国际有限公司
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张平元
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 一种 改变 激发 发射器 辐射 特性 方法
【权利要求书】:

1.一种改变激发发射器(2)的辐射特性的方法,其中,所述发射器(2)设置在包括金属材料的层结构(1)的附近,使得所述发射器(2)耦合到所述层结构(1)的表面态、特别是表面等离子激元,其改变发射器(2)的辐射特性,其特征在于,所述层结构(1)包括夹在非金属衬顶层(4)和非金属衬底层(5)之间的金属层(3),其中至少所述金属层(3)和所述衬顶层(4)被光滑界面(8)分隔开,所述光滑界面具有等于或小于1纳米的均方根粗糙度,并且其中所述金属层(3)的厚度在所述发射器(2)的发射波长(λ')的1/100至1/20之间。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述光滑界面(8)通过在衬底层(5)上沉积润湿层(3'')来制备和/或以脱模方法来制备。

3.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,在介电衬顶层(4)的介电常数不同于衬底层(5)的介电常数。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于,所述金属层(3)由选自银、金、钯、镍、铬、铝、铝-锌-氧化物,镓-锌-氧化物,镉或它们的合金构成的组中的金属材料形成。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法,其特征在于,所述衬顶层(4)由选自氧化铝、二氧化硅、二氧化钛、氮化硅、碳化硅或聚合物中的材料形成。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法,其特征在于,所述发射器(2)发射波长(λ')在250nm到1600nm的辐射,优选405nm到600nm的辐射。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法,其特征在于,所述层结构(2)附近的发射器(2)发出的改变的辐射用于包括发射器(2)的样品的成像。

8.如权利要求7所述的方法,其特征在于,样品的成像使用包括载玻片的显微镜装置(9)进行,所述载玻片被层结构(1)覆盖或由层结构(1)组成,以改变包含发射器(2)的样品的辐射,所述发射器(2)设置在所述层结构(1)的非金属衬顶层(4)上。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法,其特征在于,发射器(2)是发射荧光的荧光团,尤其是荧光染料。

10.如权利要求1至6中任一项所述的方法,其特征在于,所述层结构(1)附近的发射器(2)发出的改变的辐射用来确定发射器(2)的位置和/或用于测量的发射器(2)和层结构(1)之间的距离。

11.如权利要求1至6中任一项所述的方法,其特征在于,所述层结构(1)附近的发射器(2)的辐射特性的改变用于带通或带阻滤波。

12.如权利要求1至6中任一项所述的方法,其特征在于,所述层结构(1)附近的发射器(2)的辐射特性的改变用于发射器(2)的受激发射。

13.一种具有金属材料的层结构(1),用于通过在发射器(2)和所述层结构的表面态、尤其是表面等离子体激元之间进行耦合而改变位于其附近的激发发射器(2)的辐射特性,其特征在于,该层结构(1)包括金属层(3),其夹在非金属衬顶层(4)和非金属衬底层(5)之间,其中至少所述金属层(3)和所述衬顶层(4)被具有等于或小于1纳米的均方根粗糙度的光滑界面(8)分隔开,并且其中所述金属层(3)的厚度在所述发射器(2)的发射波长(λ')的1/100至1/20之间。

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