[发明专利]光电子半导体本体和用于制造光电子半导体本体的方法

权利要求书

1.光电子半导体本体（100），

-带有衬底（102，132，202），

-带有张紧层（104，134，160），该张紧层在第一外延步骤中被施加在衬底（102，132，202）上，

其中张紧层（104，134，160）具有至少一个垂直形成在张紧层中的凹部（106，110），

其中在第二外延步骤中，在张紧层（104，134，160）上施加了另外的层（108，136，168），该另外的层将所述至少一个凹部（106，110）填充并且至少局部地覆盖该张紧层（104，134，160）。

2.根据权利要求1所述的光电子半导体本体，其中另外的层（108，136，168）的晶格常数与衬底（102，132，202）的晶格常数的偏差小于张紧层（104，134，160）的晶格常数与衬底（102，132，202）的晶格常数的偏差。

3.根据权利要求1所述的光电子半导体本体，其中，张紧层（104，134，160）的晶格常数小于衬底的晶格常数，同时另外的层（108，136，168）的晶格常数大于衬底的晶格常数。

4.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体本体，其中，张紧层（104，134，160）在凹部（106）中被薄化。

5.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体本体，其中，张紧层（104，134，160）在凹部（106）中是完全被中断的。

6.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体本体，其中，另外的层（108，136，168）完全覆盖张紧层（104，134，160）。

7.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体本体，其中，张紧层（104，134，160）的厚度在0.5μm和5μm之间，优选在1μm和3μm之间。

8.根据前述权利要求之一所述的光电子半导体本体，其中，至少一个凹部（106，110）包括第一类型的凹部（106）和/或第二类型的凹部（110）。

9.根据权利要求8所述的光电子半导体本体，其中，所述第一类型的凹部（106）具有5μm至100μm的宽度。

10.根据权利要求8所述的光电子半导体本体，其中，所述第二类型的凹部（110）具有0.1μm至5μm的宽度。

11.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体本体，其中衬底（132）具有GaN并且张紧层是由                                                （0≤x≤0.1并且0≤y≤1）制成的外罩层（134）。

12.根据权利要求11所述的光电子半导体本体，其中在InAlGaN外罩层（134）和具有GaN的衬底（132）之间施加有中间层（114），尤其是由（0≤x≤0.5）制成的中间层。

13.根据权利要求12所述的光电子半导体本体，其中中间层（114）是导电和/或压缩张紧的。

14.根据权利要求1至10之一所述的光电子半导体本体，其中衬底（132）具有GaN，并且张紧层是由（0≤x≤0.2）和（0≤y≤1）的交替层构成的布拉格镜（160）。

15.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体本体，其中在第二外延步骤中生长的另外的层（108，136，168）具有第一导电性，尤其是n导电性。

16.根据权利要求15所述的光电子半导体本体，其中在生长方向上跟随在第二外延步骤中生长的另外的层（108，136，168）的是如下相继的层：

-有源区（118），

-具有第二导电性、尤其是具有p导电性的层（120，138，162）。

17.光电子器件（101），其由按照权利要求16所述的光电子半导体本体（100）分割而成。

18.根据权利要求17所述的光电子器件，其中张紧层（134，160）在侧向上由导电的、尤其是n导电的层（136，168）来过生长。