[发明专利]电磁波干扰抑制体有效
| 申请号： | 201280029524.2 | 申请日： | 2012-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN103609207B | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 山本一美 | 申请（专利权）人： | 户田工业株式会社 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电磁波 干扰 抑制 | ||
【权利要求书】：
1.一种电磁波干扰抑制体，其在由导电性填料和树脂构成的导电层上层叠有由软磁性粉末和树脂构成的磁性层，其特征在于：
所述导电层的表面电阻为100～5000Ω/□。
2.如权利要求1所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：
所述磁性层的100MHz的复数磁导率的实数部分为3～45。
3.如权利要求1或2所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：
所述导电性填料为导电碳，导电性填料的含量为5～25Vol%。
4.如权利要求1～3中任一项所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：
所述软磁性粉末选自羰基铁、磁铁矿、尖晶石型铁氧体、铁硅铝磁合金中的一种以上。
5.如权利要求1～4中任一项所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：
层叠有厚度为20～100μm的导电层和厚度为50～200μm的磁性层。
6.如权利要求1～5中任一项所述的电磁波干扰抑制体，其特征在于：
厚度为100μm以下的所述电磁波干扰抑制体的通过微带线测定得到的透过损耗在500MHz中为3dB以下，在3GHz中为10dB以上。
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