[发明专利]无针孔介电薄膜制造

权利要求书

1.一种沉积介电膜的方法，包含：

在基板上沉积第一介电材料层；

在沉积所述第一介电材料层之后，诱导和维持所述基板之上的等离子体，以提供对所述第一介电材料层的离子轰击；以及

重复所述沉积、及诱导和维持步骤，直到沉积了预定厚度的介电材料为止。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述介电材料是LiPON。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一介电材料层的厚度小于200nm。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积是在工艺腔室中的真空沉积。

5.如权利要求4所述的方法，所述方法进一步包含：在所述诱导和维持步骤之前改变所述工艺腔室中的所述工艺气体。

6.如权利要求4所述的方法，其中所述真空沉积步骤包括：在氩环境中溅射Li₃PO₄。

7.如权利要求6所述的方法，所述方法进一步包含：在所述诱导步骤之前将氮气引入所述工艺腔室。

8.如权利要求6所述的方法，其中所述第一介电材料层的厚度小于200nm。

9.如权利要求4所述的方法，其中所述真空沉积步骤包括：溅射所述介电材料，所述溅射步骤包括将第一频率的射频功率和第二频率的射频功率同时应用到一溅射靶。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述真空沉积步骤包括：应用偏压到所述基板。

11.如权利要求4所述的方法，其中所述真空沉积步骤包括：在氮和氩环境中溅射Li₃PO₄。

12.如权利要求1所述的方法，其中在所述诱导和维持步骤期间加热所述基板。

13.一种沉积介电膜的方法，所述方法包含：

在工艺腔室中将第一介电材料层真空沉积在基板上；

在真空沉积所述第一介电材料层之后，诱导和维持所述基板之上的等离子体，以提供对所述第一介电材料层的离子轰击；和

将第二介电材料层真空沉积到经离子轰击的所述第一介电材料层上；

在真空沉积所述第二介电材料层之后，诱导和维持所述基板之上的等离子体，以提供对所述第二介电材料层的离子轰击；

其中所述第二介电材料层比所述第一介电材料层更厚。

14.如权利要求13所述的方法，其中比所述第一介电材料层更快速地沉积所述第二介电材料层。

15.如权利要求13所述的方法，其中使用同一溅射靶真空沉积所述第一介电材料层和所述第二介电材料层。

16.如权利要求13所述的方法，其中所述介电材料是LiPON。

17.一种沉积介电膜的方法，所述方法包含：

在工艺腔室中将第一介电材料层真空沉积在基板上；

在真空沉积所述第一介电材料层之后，诱导和维持所述基板之上的等离子体，以提供对所述第一介电材料层的离子轰击；和

将第二介电材料层真空沉积到经离子轰击的所述第一介电材料层上；

在所述工艺腔室中将第三介电材料层真空沉积到所述第二介电材料层上；

在真空沉积所述第三介电材料层之后，诱导和维持所述基板之上的等离子体，以提供对所述第三介电材料层的离子轰击；

其中所述第二介电材料层比所述第一介电材料层和所述第三介电材料层更厚。

18.如权利要求17所述的方法，其中使用同一溅射靶真空沉积所述第一介电材料层、所述第二介电材料层和所述第三介电材料层。

19.如权利要求17所述的方法，其中所述介电材料是LiPON。

20.如权利要求17所述的方法，其中比所述第一介电材料层和所述第三介电材料层更快速地沉积所述第二介电材料层。