[发明专利]陶瓷烧结体和制造陶瓷烧结体的方法有效
| 申请号： | 201280029577.4 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN103608312A | 公开（公告）日： | 2014-02-26 |
| 发明（设计）人： | 小高文雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社普利司通 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/581 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 陶瓷 烧结 制造 方法 | ||
1.一种陶瓷烧结体，
其包括碳化硅和氮化铝，其中
相对于所述碳化硅和所述氮化铝的总重量比，所述氮化铝的重量比为大于10%且97%以下，和
所述陶瓷烧结体的体积密度为大于3.18g/cm3。
2.根据权利要求1所述的陶瓷烧结体，其中热导率为65W/mK以下。
3.根据权利要求2所述的陶瓷烧结体，其中热导率为40W/mK以下。
4.根据权利要求1至3任一项所述的陶瓷烧结体，其中
相对于所述碳化硅和所述氮化铝的总重量比，所述氮化铝的重量比为11%以上且90%以下。
5.根据权利要求1至4任一项所述的陶瓷烧结体，其中体积密度为3.23g/cm3以上。
6.根据权利要求1至5任一项所述的陶瓷烧结体，其中
相对于所述碳化硅和所述氮化铝的总重量比，所述氮化铝的重量比为52%以上且97%以下。
7.根据权利要求1至6任一项所述的陶瓷烧结体，其中
相对于所述碳化硅和所述氮化铝的总重量比，所述氮化铝的重量比为大于10%且76%以下。
8.根据权利要求1至7任一项所述的陶瓷烧结体，其中
相对于所述碳化硅和所述氮化铝的总重量比，所述氮化铝的重量比为27%以上且97%以下。
9.根据权利要求1至8任一项所述的陶瓷烧结体，其含有氧化钇。
10.一种制造陶瓷烧结体的方法，所述陶瓷烧结体含有碳化硅和氮化铝，所述方法包括：
将含有液体硅化合物的含硅原料和含有通过加热产生碳的有机化合物的含碳原料混合以生产碳化硅前体的步骤；
将所述碳化硅前体在惰性气氛下加热并焙烧以生产碳化硅原料的步骤；
将含有可水解铝化合物的含铝原料、含有通过加热产生碳的有机化合物的含碳原料和水混合以生产氮化铝前体的步骤；
将所述氮化铝前体在氮气气氛下加热并焙烧以生产氮化铝原料的步骤；
将所述碳化硅原料和所述氮化铝原料混合的步骤；和
将所述碳化硅原料和所述氮化铝原料的混合物烧结的步骤，其中
相对于在所述碳化硅原料和所述氮化铝原料的混合物中含有的所述碳化硅和所述氮化铝的总重量比，所述氮化铝的重量比为大于10%且97%以下。
11.根据权利要求10所述的制造陶瓷烧结体的方法，其中
相对于在所述碳化硅原料和所述氮化铝原料的混合物中含有的所述碳化硅和所述氮化铝的总重量比，所述氮化铝的重量比为大于10%且51%以下。
12.一种陶瓷烧结体，其含有碳化硅和氮化铝，所述陶瓷烧结体通过包含下述步骤的制造陶瓷烧结体的方法制造：
将含有液体硅化合物的含硅原料和含有通过加热产生碳的有机化合物的含碳原料混合以生产碳化硅前体的步骤；
将所述碳化硅前体在惰性气氛下加热并焙烧以生产碳化硅原料的步骤；
将含有可水解铝化合物的含铝原料、含有通过加热产生碳的有机化合物的含碳原料和水混合以生产氮化铝前体的步骤；
将所述氮化铝前体在氮气气氛下加热并焙烧以生产氮化铝原料的步骤；
将所述碳化硅原料和所述氮化铝原料混合的步骤；和
将所述碳化硅原料和所述氮化铝原料的混合物烧结的步骤，其中
相对于在所述碳化硅原料和所述氮化铝原料的混合物中含有的所述碳化硅和所述氮化铝的总重量比，所述氮化铝的重量比为大于10%且97%以下。
13.根据权利要求12所述的陶瓷烧结体，其中
相对于在所述碳化硅原料和所述氮化铝原料的混合物中含有的所述碳化硅和所述氮化铝的总重量比，所述氮化铝的重量比为大于10%且51%以下。
14.根据权利要求12或13所述的陶瓷烧结体，其中抗弯强度为900MPa以上。
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