[发明专利]III族氮化物半导体激光元件

权利要求书

1.一种III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，具有：

n型半导体区域，由n型的III族氮化物半导体构成；

活性层，由III族氮化物半导体构成，设置在所述n型半导体区域上；

第一p型半导体区域，由p型的III族氮化物半导体构成，设置在所述活性层上；

电流限制层，设置在所述第一p型半导体区域上，具有在预定的激光谐振方向上延伸的开口；以及

第二p型半导体区域，由p型的III族氮化物半导体构成，在形成所述电流限制层的所述开口之后，再生长在所述第一p型半导体区域上和电流限制层上，

所述第一p型半导体区域中的与所述第二p型半导体区域的界面具有该III族氮化物半导体的半极性面，

所述第一p型半导体区域和第二p型半导体区域中的至少一个具有构成所述第一p型半导体区域与所述第二p型半导体区域之间的界面且具有1×10²⁰cm^-3以上的p型杂质浓度的高浓度p型半导体层。

2.根据权利要求1所述的III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述高浓度p型半导体层的厚度为10nm以下。

3.根据权利要求1或2所述的III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述高浓度p型半导体层仅设置于所述第一p型半导体区域。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述活性层的所述第一p型半导体区域侧的界面、与所述高浓度p型半导体层的所述活性层侧的界面之间的距离为200nm以上。

5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，

该III族氮化物半导体激光元件的激光振荡的谐振波长为500nm以上。

6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述活性层的振荡波长为500nm以上，

所述高浓度p型半导体层从所述活性层分开200nm以上的距离而隔开配置。

7.一种III族氮化物半导体激光元件，具有：

n型半导体区域，由n型的III族氮化物半导体构成；

活性层，由III族氮化物半导体构成，设置在所述n型半导体区域上；以及

III族氮化物区域，设置在所述活性层上，

所述III族氮化物区域包含：

第一p型半导体区域，由p型的III族氮化物半导体构成；

电流限制层，设置在所述第一p型半导体区域的主面上，具有开口；以及

第二p型半导体区域，由p型的III族氮化物半导体构成，经由所述电流限制层的所述开口而与所述第一p型半导体区域的所述主面连接，设置在所述第一p型半导体区域上和电流限制层上，

所述电流限制层由III族氮化物构成，

所述第一p型半导体区域的所述主面包含半极性面，

所述III族氮化物区域包含设置在所述第一p型半导体区域内的第一p型半导体部分、设置在所述第二p型半导体区域内的第二p型半导体部分以及包含所述第一p型半导体区域与所述第二p型半导体区域之间的接触界面的第三p型半导体部分，

所述第三p型半导体部分与所述第一p型半导体部分形成接触，

所述第三p型半导体部分与所述第二p型半导体部分形成接触，

所述第三p型半导体部分包含施主杂质，

III族氮化物区域在所述第一p型半导体部分、所述第二p型半导体部分以及所述第三p型半导体部分具有沿着从所述第一p型半导体部分向所述第二p型半导体部分的方向增加后减少的p型掺杂剂分布。

8.根据权利要求7所述的III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述第三p型半导体部分的p型掺杂剂浓度为1×10²⁰cm^-3以上。

9.根据权利要求7或8所述的III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述第三p型半导体部分的p型掺杂剂浓度比所述第三p型半导体部分的硅浓度大。

10.根据权利要求7～9中的任意一项所述的III族氮化物半导体激光元件，其特征在于，

所述电流限制层具有氮化铝。