[发明专利]半导体激光元件有效
申请号: | 201280029817.0 | 申请日: | 2012-07-04 |
公开(公告)号: | CN103608986A | 公开(公告)日: | 2014-02-26 |
发明(设计)人: | 枡井真吾;川田康博;藤本英之;道上敦生 | 申请(专利权)人: | 日亚化学工业株式会社 |
主分类号: | H01S5/22 | 分类号: | H01S5/22;H01S5/022 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 激光 元件 | ||
1.一种半导体激光元件,其特征在于具备:
基板;半导体部,其设置于上述基板上且在上述基板的相反侧的面具有隆脊;电极,其设置于上述隆脊上;绝缘膜,其设置于上述隆脊的两侧的半导体部上;及焊垫电极,其设置于上述电极上;该半导体激光元件将上述焊垫电极侧作为安装面侧,
上述焊垫电极在上述绝缘膜上延伸设置;
在上述半导体部与上述焊垫电极之间的与上述隆脊分离的一部分设置有隔板部。
2.如权利要求1所述的半导体激光元件,其中,
上述隔板部包含配置于上述半导体部的一个端面附近的第1隔板部。
3.如权利要求2所述的半导体激光元件,其中,
上述隔板部包含配置于上述半导体部的另一个端面附近的第2隔板部。
4.如权利要求3所述的半导体激光元件,其中,
包含块部,其平行于上述隆脊而沿着上述基板的侧面配置,且形成为与上述隔板实质上相同的高度。
5.如权利要求4所述的半导体激光元件,其中,
上述第1隔板部、上述第2隔板部与上述块部被一体化。
6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体激光元件,其中,
上述隔板部由绝缘材料构成。
7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体激光元件,其中,
位于上述隆脊上的焊垫电极的上表面、与位于上述隔板的上方的焊垫电极的上表面实质上处于相同的高度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日亚化学工业株式会社,未经日亚化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280029817.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。