[发明专利]有机发光二极管、用于制造有机发光二极管的方法和具有至少两个有机发光二极管的模块

说明书

技术领域

提出一种用于制造有机发光二极管的方法、一种有机发光二极管和一种具有至少两个有机发光二极管的模块。

发明内容

本发明的目的是，提出一种有机发光二极管，所述有机发光二极管能够简单地电接触。此外，本发明的目的是，提出一种用于制造这种发光二极管的方法。此外应提出一种具有至少两个有机发光二极管的模块，所述模块的特征在于有机发光二极管相互间的简单的电接触。

所述目的通过具有权利要求1所述的特征的有机发光二极管、通过具有权利要求6所述的步骤的方法并且通过具有权利要求11所述的特征的模块来实现。有机发光二极管的、制造方法的和模块的有利的实施形式以及改进形式分别在从属权利要求中得出。

有机发光二极管尤其包括：

-衬底，

-有机层序列，所述有机层序列在工作中产生电磁辐射，其中有机层序列设置在衬底的中央区域中，

-金属化部，所述金属化部设置在衬底的边缘区域中并且构成为用于电接触有机层序列，以及

-单独制成的金属的接触结构，所述金属的接触结构与金属化部材料配合地并且导电地连接。

有机层序列通常包括多个有机层，例如载流子导电层、载流子注入层和至少一个发射层。发射层通常在工作中产生电磁辐射，通常为可见光。

有机层序列通常设置在衬底上。衬底例如能够是玻璃盘。为了电接触有机层序列，在衬底上施加有第一电极层并且在层序列的背离衬底的一侧上施加有第二电极层。这两个电极层中的至少一个在此构成为对于在发射层中产生的电磁辐射是透射的。对于可见光可穿透的电极层例如能够由至少一种透明导电氧化物（“transparent conductive oxide”，TCO材料）形成。

透明导电氧化物通常是金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化钙、氧化钛、氧化铟或氧化铟锡（ITO）。除例如为ZnO、SnO₂或In₂O₃的二元的金属氧化物之外，三元的金属氧化物、例如Zn₂SnO₄、ZnSnO₃、MgIn₂O₄、GaInO₃、Zn₂In₂O₅或In₄Sn₃O₁₂或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族。此外，TCO不强制性地符合化学计量学的组成成分并且此外能够是p型掺杂的以及n型掺杂的。

因为有机层序列的有机材料——例如与无机的半导体材料相比——相对于外部影响、例如液体或气体是敏感的，所以有机发光二极管通常具有有机材料的封装件。封装件例如能够通过罩形成，所述罩尽可能气密地并且液密地与衬底连接。

此外，也可能的是，有机发光二极管具有薄膜封装件。薄膜封装件通常由至少一个层构造，所述层例如能够借助于CVD工艺（Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积）、例如ALD方法（Atomic Layer Deposition，原子层沉积）来施加。薄膜封装件优选施加在整个构件之上并且通常构成为是电绝缘的。薄膜封装件例如在下面的文献中描述，所述文献的公开内容通过参引并入本文：DE 10 2010 044738、WO2009/095005、WO 2009/094997、WO 2009/095006。优选的是，在薄膜封装件上还设置有覆盖玻璃。

金属化部例如能够为下述层，所述层包含金属或者由金属形成。此外，可能的是，金属化部由多个单层构造。在此，每个单层尤其优选同样由金属形成或包含金属。金属化部例如具有铝。金属化部能够由铝层形成，所述铝层设置在两个相对薄的含铬的层之间。金属化部例如能够通过溅射来沉积。

根据有机发光二极管的一个实施形式，将金属化部施加在第一电极层和/或第二电极层上。金属化部在此设为用于将电流注入到第一电极层和/或第二电极层中。因此，金属化部尤其优选设置成与第一电极层和/或第二电极层直接接触。

经由金属化部通常还电接触有机层序列。对此，金属的接触结构在本文中材料配合地并且导电地与金属化部连接。金属的接触结构在此独立于有机发光二极管的剩余元件制造（例如通过冲压）并且随后材料配合地并且导电地与金属化部连接。