[发明专利]减少偏移的电阻电路无效
申请号: | 201280029846.7 | 申请日: | 2012-06-14 |
公开(公告)号: | CN103620706A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 林毅竟;D·麦克卡特内 | 申请(专利权)人: | 美国亚德诺半导体公司 |
主分类号: | H01C7/13 | 分类号: | H01C7/13;H01L21/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减少 偏移 电阻 电路 | ||
1.一种电阻电路,其包括:
第一电阻器段和第二电阻器段,每一段都具有第一末端和第二末端,
第一导体,其耦合至所述第一段的所述第一末端从而形成第一面结;
第二导体,其耦合至所述第二段的所述第一末端从而形成第二面结;以及
第三导体,其耦合至两个电阻器段的所述第二末端,从而形成相对于所述第一电阻器段的第三面结和相对于所述第二电阻器段的第四面结;
其中第一类型的面结形成的第一质心,所述第一质心与由第二类型的面结所形成的第二质心大致上重合。
2.如权利要求1所述的电阻电路,其中所述第一类型的面结包括所述第一面结和第四面结,并且所述第二类型的面结包括所述第二面结和第三面结。
3.如权利要求1所述的电阻电路,其中所述第一类型的面结包括具有从金属到电阻器的电流流动的面结,并且所述第二类型的面结包括具有从电阻器到金属的电流流动的面结。
4.如权利要求1所述的电阻电路,其中每个面结包括多个平行触点。
5.如权利要求1所述的电阻电路,其中至少一个导体耦合至导电结合焊盘。
6.如权利要求1所述的电阻电路,其中所述电阻器段由半导体材料制成。
7.如权利要求1所述的电阻电路,其中所述电阻器段是多晶硅电阻器。
8.如权利要求1所述的电阻电路,其中所述电阻器段是N型扩散电阻器。
9.如权利要求1所述的电阻电路,其中所述电阻器段是P型扩散电阻器。
10.如权利要求1所述的电阻电路,其中所述电阻器段是N型阱电阻器。
11.如权利要求1所述的电阻电路,其中所述电阻器段是P型阱电阻器。
12.如权利要求1所述的电阻电路,其中所述电阻器段具有线性形状。
13.如权利要求1所述的电阻电路,其中所述电阻器段具有弧形形状。
14.如权利要求1所述的电阻电路,其中所述电阻器段具有肘状形状。
15.如权利要求1所述的电阻电路,其中所述导体由金属制成。
16.如权利要求1所述的电阻电路,其中所述电阻器段被安置于集成电路中。
17.一种电阻电路,其包括:
第一电阻器段和第二电阻器段,
第一导体和第二导体,其在面结处耦合至相应电阻器段,以及
第三导体,其在面结处耦合至所述电阻器段的其他末端,
其中不同类型的对应成对面结定位于对称位置处,从而形成大致上彼此重合的相应面结类型质心。
18.如权利要求17所述的电阻电路,其中所述面结类型基于电流流动方向来归类。
19.如权利要求17所述的电阻电路,其中所述电阻器段由半导体材料制成。
20.如权利要求17所述的电阻电路,其中所述电阻器段是多晶硅电阻器。
21.如权利要求17所述的电阻电路,其中所述电阻器段是N型扩散电阻器。
22.如权利要求17所述的电阻电路,其中所述电阻器段是P型扩散电阻器。
23.如权利要求17所述的电阻电路,其中所述电阻器段是N型阱电阻器。
24.如权利要求17所述的电阻电路,其中所述电阻器段是P型阱电阻器。
25.如权利要求17所述的电阻电路,其中所述电阻器段具有线性形状。
26.如权利要求17所述的电阻电路,其中所述电阻器段具有弧形形状。
27.如权利要求17所述的电阻电路,其中所述电阻器段具有肘状形状。
28.如权利要求17所述的电阻电路,其中所述导体由金属制成。
29.一种电阻电路,其包括:
多个电阻器段,其安置于集成电路中,所述电阻器段在多个面结处耦合至导体,
其中成对面结遍布于所述集成电路中的多个位置处从而形成每个类型的相应面结质心,其中所述质心大致上重合。
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