[发明专利]用于光伏电池的薄板无效
申请号: | 201280029921.X | 申请日: | 2012-06-18 |
公开(公告)号: | CN103620798A | 公开(公告)日: | 2014-03-05 |
发明(设计)人: | 高敏鐏 | 申请(专利权)人: | LG化学株式会社 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;C08J5/18;C08G77/04 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 李静;黄丽娟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 电池 薄板 | ||
1.一种用于光伏电池的薄板,包括:
树脂层,该树脂层包含硅树脂和提供耐光性的试剂,所述硅树脂含有芳基,该硅树脂的芳基相对于硅树脂中包含的硅原子的摩尔比大于0.3,而且所述硅树脂包含式1或式2的硅氧烷单元,
[式1]
(R1R2SiO2/2)
[式2]
(R3SiO3/2)
其中,R1和R2各自独立地为氢、羟基、环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、异氰酸酯基、烷氧基或一价烃基,R1和R2中的至少一个为芳基,R3为芳基。
2.根据权利要求1所述的薄板,所述薄板还包括基底层,在该基底层的一个或两个表面上形成所述树脂层。
3.根据权利要求1所述的薄板,所述薄板还包括:基底层,在该基底层的一个表面上形成所述树脂层,以及第二树脂层,该第二树脂层在所述基底层的另一表面上形成,并且包含硅树脂,该硅树脂含有芳基并且所述芳基相对于该硅树脂中包含的硅原子的摩尔比大于0.3。
4.根据权利要求2所述的薄板,其中,所述基底层为金属、氟树脂薄板、聚酯薄板或包括其中至少两种的层压薄板。
5.根据权利要求1所述的薄板,其中,所述芳基相对于在所述硅树脂中包含的总的硅原子的摩尔比为0.5或大于0.5。
6.根据权利要求1所述的薄板,其中,所述硅树脂具有式6的平均组成式:
[式6]
(R3SiO1/2)a(R2SiO2/2)b(RSiO3/2)c(SiO4/2)d
其中,各个R为直接连接到硅原子上的取代基,各自独立地为氢、羟基、环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、异氰酸酯基、烷氧基或一价烃基,至少一个R为芳基,并且在a+b+c+d折合为1的情况下,a为0至0.6,b为0至0.97,c为0至0.8,d为0至0.4;并且b和c不同时为0。
7.根据权利要求1所述的薄板,其中,所述硅树脂的重均分子量为500至100,000。
8.根据权利要求1所述的薄板,其中,所述提供耐光性的试剂为选自UV吸收剂和光稳定剂中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的薄板,其中,所述UV吸收剂为二苯甲酮类化合物、苯并三唑类化合物或三嗪类化合物。
10.根据权利要求8所述的薄板,其中,所述光稳定剂为受阻胺化合物。
11.根据权利要求1所述的薄板,其中,所述提供耐光性的试剂包含UV吸收剂和光稳定剂。
12.根据权利要求1所述的薄板,其中,相对于100重量份的所述硅树脂,所述树脂层包含0.05重量份至10重量份的提供耐光性的试剂。
13.根据权利要求1所述的薄板,其中,所述提供耐光性的试剂包含UV吸收剂和光稳定剂。
14.根据权利要求13所述的薄板,其中,相对于100重量份的所述UV吸收剂,所述提供耐光性的试剂包含10重量份至70重量份的光稳定剂。
15.根据权利要求1所述的薄板,其中,所述树脂层进一步包含光散射或光反射粒子。
16.根据权利要求15所述的薄板,其中,所述光散射或光反射粒子由选自玻璃、氧化铝、二氧化钛、氧化锆、氧化铈、二氧化铪、五氧化二铌、五氧化二钽、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化锌、硅基粒子、硫酸锌、硫酸钡、碳酸钙、氧化钛和氧化镁中的至少一种形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的